PHS-memory 4GB di memoria RAM per Samsung NP-R730-JT08 DDR3 SO DIMM 1066MHz
Samsung NP-R730-JT08, 1 x 4GBPiù di 10 pezzi in stock presso il fornitore
Informazioni sul prodotto
La memoria RAM da 4GB di PHS-memory è progettata specificamente per il notebook Samsung NP-R730-JT08 e offre un'espansione affidabile e potente della memoria. Con una frequenza di clock di 1066 MHz e il fattore di forma DDR3 SO-DIMM, questa RAM è una scelta ideale per gli utenti che desiderano migliorare le prestazioni del loro dispositivo. La capacità di 4GB consente una migliore capacità di multitasking e garantisce un funzionamento fluido delle applicazioni. La RAM è progettata per funzionare a una tensione di 1.5 Volt, rendendola energeticamente efficiente e garantendo al contempo la stabilità del sistema. L'installazione semplice e la compatibilità al 100% con il Samsung NP-R730-JT08 rendono questa RAM una soluzione pratica per chi desidera ottimizzare le prestazioni del proprio notebook.
- 100% compatibile con Samsung NP-R730-JT08
- Frequenza di clock di 1066 MHz
- Energeticamente efficiente con tensione di 1.5 Volt
- Facile da installare e ideale per il multitasking.
Marca compatibile | Samsung |
RAM per il modello | Samsung NP-R730-JT08 |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1066 MHz |
No. di articolo | 14322731 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP188474 |
Data di rilascio | 15.11.2020 |
Marca compatibile | Samsung |
RAM per il modello | Samsung NP-R730-JT08 |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Settori di utilizzo | Notebook |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1066 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 4 GB |
Chip RAM | LPDDR3 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204x |
Tensione elettrica | 1.50 V |
Emissioni di CO₂ | 81.33 kg |
Contributo climatico | CHF 1.93 |