PHS-memory 4GB di memoria RAM per Samsung NP-R730-JB04 DDR3 SO DIMM 1066MHz
Samsung NP-R730-JB04, 1 x 4GBPiù di 10 pezzi in stock presso il fornitore terzo
Informazioni sul prodotto
La memoria PHS-memory da 4GB di RAM è progettata specificamente per il modello Samsung NP-R730-JB04 e offre un'espansione affidabile e potente della memoria di lavoro. Con una frequenza di clock di 1066 MHz e il fattore di forma DDR3 SO-DIMM, questa RAM è una scelta ideale per gli utenti che desiderano migliorare le prestazioni del proprio laptop. La capacità di 4 GB consente una migliore capacità di multitasking e garantisce che le applicazioni funzionino senza intoppi. La memoria è progettata per una tensione di 1,5 Volt, rendendola energeticamente efficiente e garantendo al contempo la stabilità del sistema. L'installazione semplice e la compatibilità al 100% con il Samsung NP-R730-JB04 rendono questa RAM una soluzione pratica per chiunque desideri ottimizzare le prestazioni del proprio dispositivo.
- 100% compatibile con Samsung NP-R730-JB04
- Energeticamente efficiente con tensione di 1,5 Volt
- Migliore capacità di multitasking grazie alla capacità di 4 GB.
Marca compatibile | Samsung |
Modello compatibile | Samsung NP-R730-JB04 |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1066 MHz |
No. di articolo | 14321257 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP193863 |
Data di rilascio | 15.11.2020 |
Marca compatibile | Samsung |
Modello compatibile | Samsung NP-R730-JB04 |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1066 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 4 GB |
Chip RAM | LPDDR3 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204 x |
Tensione elettrica | 1.50 V |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |