PHS-memory 4GB di memoria RAM per Samsung NP-R530-JT02 DDR3 SO DIMM 1066MHz
Samsung NP-R530-JT02, 1 x 4GBPiù di 10 pezzi in stock presso il fornitore
Informazioni sul prodotto
La memoria RAM da 4GB di PHS-memory è progettata specificamente per il modello Samsung NP-R530-JT02 e offre un'espansione affidabile e potente della memoria. Con una frequenza di clock di 1066 MHz e il fattore di forma DDR3 SO-DIMM, questa memoria è ideale per gli utenti che desiderano migliorare le prestazioni del proprio laptop. La capacità di 4GB consente una migliore capacità di multitasking e garantisce un funzionamento fluido delle applicazioni. La RAM è progettata per funzionare a una tensione di 1,5 Volt, offrendo un'elevata efficienza energetica. La compatibilità con il Samsung NP-R530-JT02 assicura un'installazione semplice e un utilizzo immediato senza ulteriori adattamenti. Questa memoria RAM è un'ottima scelta per chi desidera ottimizzare le prestazioni del proprio dispositivo.
- 100% compatibile con Samsung NP-R530-JT02
- Frequenza di clock di 1066 MHz
- Efficiente dal punto di vista energetico con tensione di 1,5 Volt
- Chip LPDDR3 per prestazioni migliorate.
Marca compatibile | Samsung |
Modello compatibile | Samsung NP-R530-JT02 |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1066 MHz |
No. di articolo | 14321704 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP228218 |
Data di rilascio | 15.11.2020 |
Marca compatibile | Samsung |
Modello compatibile | Samsung NP-R530-JT02 |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1066 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 4 GB |
Chip RAM | LPDDR3 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204 x |
Tensione elettrica | 1.50 V |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |