PHS-memory 4GB di memoria RAM per Lenovo ThinkPad 11e (3rd Gen) (20GB) (Celeron N3150/N3160) DDR3 SO DIMM
Lenovo ThinkPad 11e (3rd Gen) (20GB) (Celeron N3150/N3160), 1 x 4GBConsegna tra ven, 5.9. e sab, 6.9.
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Informazioni sul prodotto
La memoria RAM da 4GB di PHS-memory è progettata specificamente per il Lenovo ThinkPad 11e (3a generazione) (20GB) con i processori Celeron N3150 e N3160. Questa memoria DDR3 SO-DIMM offre una frequenza di clock di 1600 MHz ed è una soluzione ideale per migliorare le prestazioni del tuo dispositivo. Con una capacità di 4 GB per modulo, questa RAM consente una migliore capacità di multitasking e garantisce un'esecuzione fluida delle applicazioni. La compatibilità con il Lenovo ThinkPad 11e (3a generazione) assicura un'installazione semplice e un funzionamento stabile. La memoria è dotata di 204 pin e opera a una tensione di 1,35 Volt, rendendola una scelta energeticamente efficiente per il tuo sistema.
- 100% compatibile con Lenovo ThinkPad 11e (3a generazione)
- RAM DDR3 con una frequenza di clock di 1600 MHz
- Funzionamento energeticamente efficiente a 1,35 Volt
- Consente migliori capacità di multitasking.
Marca compatibile | Lenovo |
Modello compatibile | Lenovo ThinkPad 11e (3rd Gen) (20GB) (Celeron N3150/N3160) |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1600 MHz |
No. di articolo | 14226327 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP272071 |
Data di rilascio | 13.11.2020 |
Marca compatibile | Lenovo |
Modello compatibile | Lenovo ThinkPad 11e (3rd Gen) (20GB) (Celeron N3150/N3160) |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1600 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 4 GB |
Chip RAM | LPDDR3 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204 x |
Tensione elettrica | 1.35 V |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |
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