PHS-memory 4GB di memoria RAM per Lenovo S200 Tower (10HQ) DDR3 SO DIMM 1600MHz
Torre Lenovo S200 (10HQ), 1 x 4GBPiù di 10 pezzi in stock presso il fornitore
Informazioni sul prodotto
La memoria RAM da 4GB di PHS-memory è progettata specificamente per il Lenovo S200 Tower (10HQ) e offre un'espansione affidabile e potente della memoria. Con una frequenza di clock di 1600 MHz e il fattore di forma DDR3 SO-DIMM, questa RAM è ottimale per le esigenze delle applicazioni moderne. La compatibilità al 100% garantisce un'installazione semplice e un'integrazione senza problemi nei sistemi esistenti. La memoria è ideale per gli utenti che desiderano aumentare le prestazioni del proprio Lenovo S200 Tower, sia per applicazioni d'ufficio, multimedia o altre attività che richiedono elevate capacità di calcolo. L'uso di chip LPDDR3 assicura un utilizzo efficiente dell'energia, mentre la tensione di 1,35 Volt garantisce prestazioni stabili.
- 100% compatibile con Lenovo S200 Tower (10HQ)
- Frequenza di clock di 1600 MHz
- Chip LPDDR3 a basso consumo energetico
- Fattore di forma SO-DIMM per un'installazione semplice.
Marca compatibile | Lenovo |
RAM per il modello | Torre Lenovo S200 (10HQ) |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1600 MHz |
No. di articolo | 14269751 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP277251 |
Data di rilascio | 14.11.2020 |
Marca compatibile | Lenovo |
RAM per il modello | Torre Lenovo S200 (10HQ) |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1600 MHz |
No. moduli di memoria (RAM) | 1x |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 4 GB |
Chip RAM | LPDDR3 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204x |
Tensione elettrica | 1.35 V |
Emissioni di CO₂ | 81.33 kg |
Contributo climatico | CHF 1.93 |