PHS-memory 4GB di memoria RAM per HP TouchSmart 520-1002es DDR3 SO DIMM 1333MHz
HP TouchSmart 520-1002es, 1 x 4GBPiù di 10 pezzi in stock presso il fornitore
Informazioni sul prodotto
La memoria RAM da 4GB di PHS-memory è progettata specificamente per l'HP TouchSmart 520-1002es e offre un'espansione affidabile e potente della memoria. Con una capacità di 4 gigabyte e una frequenza di clock di 1333 MHz, questo RAM DDR3 SO-DIMM migliora le prestazioni del sistema e consente un multitasking fluido. La compatibilità con l'HP TouchSmart 520-1002es garantisce un'installazione semplice e un'integrazione senza problemi nei sistemi esistenti. La RAM è ideale per gli utenti che desiderano aumentare le prestazioni del proprio dispositivo, sia per applicazioni quotidiane che per compiti più impegnativi. Con una tensione di 1,5 Volt e una tecnologia dei chip LPDDR3, questa memoria è sia energeticamente efficiente che potente, rendendola un'ottima scelta per l'upgrade del tuo HP TouchSmart 520-1002es.
- 100% compatibile con HP TouchSmart 520-1002es
- Chip LPDDR3 energeticamente efficiente
- Facile da installare con fattore di forma SO-DIMM.
Marca compatibile | CV |
Modello compatibile | HP TouchSmart 520-1002es |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1066 MHz |
No. di articolo | 14321838 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP201325 |
Data di rilascio | 15.11.2020 |
Marca compatibile | CV |
Modello compatibile | HP TouchSmart 520-1002es |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1066 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 4 GB |
Chip RAM | LPDDR3 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204 x |
Tensione elettrica | 1.50 V |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |