PHS-memory 4 GB di memoria RAM per Packard Bell EasyNote LX86-JP-175GE (LX.BN902.018) DDR3 SO DIMM
Packard Bell EasyNote LX86-JP-175GE (LX.BN902.018), 1 x 4GBPiù di 10 pezzi in stock presso il fornitore terzo
Informazioni sul prodotto
La memoria RAM da 4GB di PHS-memory è progettata specificamente per il modello Packard Bell EasyNote LX86-JP-175GE (LX.BN902.018) e offre un'espansione affidabile e potente della memoria di lavoro. Con una frequenza di clock di 1333 MHz e una tensione di 1,5 Volt, questa RAM DDR3 SO-DIMM garantisce prestazioni e stabilità ottimali. La configurazione a 204 pin facilita l'installazione e la compatibilità con il modello di laptop corrispondente. Questa memoria è ideale per gli utenti che desiderano aumentare le prestazioni del proprio dispositivo, sia per applicazioni quotidiane che per compiti più impegnativi. L'uso di chip LPDDR3 assicura una maggiore efficienza energetica, contribuendo a prolungare la durata della batteria del laptop. In generale, questa RAM è un'ottima scelta per chi desidera ampliare la funzionalità del proprio laptop Packard Bell EasyNote.
- 100% compatibile con Packard Bell EasyNote LX86-JP-175GE (LX.BN902.018)
- Frequenza di clock di 1333 MHz per prestazioni migliorate
- Chip LPDDR3 a basso consumo energetico per una maggiore durata della batteria
- Installazione semplice grazie al fattore di forma SO-DIMM a 204 pin.
Marca compatibile | Campana Packard |
Modello compatibile | Packard Bell EasyNote LX86-JP-175GE (LX.BN902.018) |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1333 MHz |
No. di articolo | 22389848 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP143900 |
Data di rilascio | 19.4.2021 |
Collegamenti esterni |
Marca compatibile | Campana Packard |
Modello compatibile | Packard Bell EasyNote LX86-JP-175GE (LX.BN902.018) |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1333 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 4 GB |
Chip RAM | LPDDR3 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204 x |
Tensione elettrica | 1.50 V |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |