PHS-memory 2GB di memoria RAM per Samsung NP-RV510-S02 DDR3 SO DIMM 1066MHz
Samsung NP-RV510-S02, 1 x 2GBConsegna tra sab, 14.6. e gio, 19.6.
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Informazioni sul prodotto
La memoria RAM da 2GB di PHS-memory è progettata specificamente per il modello Samsung NP-RV510-S02 e offre un'espansione affidabile e potente della memoria. Con una frequenza di clock di 1066 MHz e il fattore di forma DDR3 SO-DIMM, questa RAM è una soluzione ideale per gli utenti che desiderano migliorare le prestazioni del proprio laptop. La compatibilità con il Samsung NP-RV510-S02 garantisce un'installazione semplice e un funzionamento fluido. La memoria è dotata di 204 pin e opera a una tensione di 1,5 Volt, rendendola energeticamente efficiente. Questa configurazione del modulo di memoria consente di migliorare le capacità di multitasking del dispositivo e ottimizzare le prestazioni complessive del sistema.
- 100% compatibile con Samsung NP-RV510-S02
- Frequenza di clock di 1066 MHz
- Energeticamente efficiente con tensione di 1,5 Volt
- Chip DDR3L-1066 per prestazioni migliorate.
Marca compatibile | Samsung |
Modello compatibile | Samsung NP-RV510-S02 |
Configurazione della memoria | 1 x 2GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1066 MHz |
No. di articolo | 14221990 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP135917 |
Data di rilascio | 13.11.2020 |
Marca compatibile | Samsung |
Modello compatibile | Samsung NP-RV510-S02 |
Configurazione della memoria | 1 x 2GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1066 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 2 GB |
Chip RAM | DDR3L-1066 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204 x |
Tensione elettrica | 1.50 V |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |
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