PHS-memory 2GB di memoria RAM per Samsung NP-R610-AS05 DDR2 SO DIMM 800MHz PC2-6400S
Samsung NP-R610-AS05, 1 x 2GB6 pezzi in stock presso il fornitore terzo
Informazioni sul prodotto
La memoria RAM da 2GB di PHS-memory è progettata specificamente per il modello Samsung NP-R610-AS05 e offre un'espansione affidabile e potente della memoria di lavoro. Con una capacità di 2 Gigabyte e una frequenza di clock di 800 MHz (PC2-6400S), questo RAM DDR2 SO-DIMM è una soluzione ideale per gli utenti che desiderano migliorare le prestazioni del proprio laptop. Il fattore di forma SO-DIMM consente un'installazione semplice e una compatibilità con il dispositivo corrispondente. Questa memoria è un modo conveniente per migliorare le capacità di multitasking e le prestazioni generali del sistema, in particolare per le applicazioni che richiedono una maggiore capacità di memoria. La tensione di 1.8 Volt garantisce un funzionamento stabile e un uso efficiente dell'energia.
- 100% compatibile con Samsung NP-R610-AS05
- Installazione semplice grazie al fattore di forma SO-DIMM
- Aumenta le capacità di multitasking del sistema
- Prestazioni stabili a una frequenza di clock di 800 MHz.
Marca compatibile | Samsung |
Modello compatibile | Samsung NP-R610-AS05 |
Configurazione della memoria | 1 x 2GB |
Tipo di RAM | DDR2-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 800 MHz |
No. di articolo | 14217603 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP182389 |
Data di rilascio | 13.11.2020 |
Collegamenti esterni |
Marca compatibile | Samsung |
Modello compatibile | Samsung NP-R610-AS05 |
Configurazione della memoria | 1 x 2GB |
Tipo di RAM | DDR2-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 800 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 2 GB |
Chip RAM | DDR2-800 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 200 x |
Tensione elettrica | 1.80 V |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |