PHS-memory 2GB di memoria RAM per Samsung NP-N150-JP0E DDR3 SO DIMM 1333MHz PC3-10600S
Samsung NP-N150-JP0E, 1 x 2GB6 pezzi in stock presso il fornitore
Informazioni sul prodotto
La memoria RAM da 2GB di PHS-memory è progettata specificamente per il modello Samsung NP-N150-JP0E e offre un'espansione affidabile e potente della memoria. Con una frequenza di clock di 1333 MHz (PC3-10600S), questo RAM DDR3 SO-DIMM migliora le prestazioni del sistema e consente un'esecuzione fluida delle applicazioni. La compatibilità con il Samsung NP-N150-JP0E garantisce un'installazione e un utilizzo semplici, permettendo agli utenti di beneficiare di prestazioni ottimizzate. La RAM è dotata di 204 pin e funziona a una tensione di 1,5 Volt, rendendola una scelta energeticamente efficiente per diverse applicazioni. Questa configurazione del modulo di memoria è ideale per gli utenti che desiderano migliorare le prestazioni del proprio sistema senza compromettere qualità e affidabilità.
- Compatibile con Samsung NP-N150-JP0E
- Frequenza di clock di 1333 MHz
- Efficiente dal punto di vista energetico con tensione di 1,5 Volt
- 204 pin per un'installazione semplice.
Marca compatibile | Samsung |
Modello compatibile | Samsung NP-N150-JP0E |
Configurazione della memoria | 1 x 2GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1066 MHz |
No. di articolo | 14225587 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP124149 |
Data di rilascio | 13.11.2020 |
Marca compatibile | Samsung |
Modello compatibile | Samsung NP-N150-JP0E |
Configurazione della memoria | 1 x 2GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1066 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 2 GB |
Chip RAM | DDR3L-1333 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204 x |
Tensione elettrica | 1.50 V |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |