PHS-memory 2GB di memoria RAM per Samsung NP-N150-HAV1 DDR2 SO DIMM 800MHz PC2-6400S
Samsung NP-N150-HAV1, 1 x 2GBConsegna tra lun, 14.7. e ven, 18.7.
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Informazioni sul prodotto
La memoria RAM da 2GB di PHS-memory è progettata specificamente per il modello Samsung NP-N150-HAV1 e offre un'espansione affidabile e potente della memoria di lavoro. Con una capacità di 2 Gigabyte e una frequenza di clock di 800 MHz (PC2-6400S), questa RAM DDR2 SO-DIMM è una soluzione ideale per gli utenti che desiderano migliorare le prestazioni del loro dispositivo. La RAM è progettata per una tensione di 1,8 Volt e dispone di 200 pin, rendendola una scelta compatibile per il modello citato. L'installazione di questo modulo di memoria può migliorare le capacità di multitasking del sistema e ottimizzare l'esperienza complessiva dell'utente.
- 100% compatibile con Samsung NP-N150-HAV1
- Espansione della memoria di lavoro per prestazioni di sistema migliorate
- Installazione semplice grazie al fattore di forma SO-DIMM.
Marca compatibile | Samsung |
Modello compatibile | Samsung NP-N150-HAV1 |
Configurazione della memoria | 1 x 2GB |
Tipo di RAM | DDR2-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 800 MHz |
No. di articolo | 14224316 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP127063 |
Data di rilascio | 13.11.2020 |
Marca compatibile | Samsung |
Modello compatibile | Samsung NP-N150-HAV1 |
Configurazione della memoria | 1 x 2GB |
Tipo di RAM | DDR2-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 800 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 2 GB |
Chip RAM | DDR2-800 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 200 x |
Tensione elettrica | 1.80 V |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |
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