PHS-memory 2GB di memoria RAM per Lexmark CS410n DDR3 SO DIMM 1333MHz PC3L-10600S
Lexmark CS410n, 1 x 2GB6 pezzi in stock presso il fornitore
Informazioni sul prodotto
La memoria RAM da 2GB di PHS-memory è progettata specificamente per la Lexmark CS410n e offre un'espansione affidabile e potente della memoria di lavoro. Con una capacità di 2 gigabyte e una frequenza di clock di 1333 MHz (PC3L-10600S), questa RAM DDR3 SO-DIMM garantisce un miglioramento delle prestazioni di sistema e un'elaborazione fluida delle attività. La compatibilità con la Lexmark CS410n assicura un'installazione e un utilizzo semplici, consentendo agli utenti di godere dei vantaggi di una memoria ottimizzata senza complicazioni. La RAM è dotata di 204 pin e funziona a una tensione di 1,35 Volt, rendendola energeticamente efficiente. Questo modulo di memoria è una scelta ideale per chi desidera migliorare le prestazioni della propria stampante Lexmark.
- 100% compatibile con Lexmark CS410n
- Energeticamente efficiente con tensione di funzionamento di 1,35 Volt
- Prestazioni ottimizzate grazie alla frequenza di clock di 1333 MHz
- Facile da installare grazie al fattore di forma SO-DIMM.
Marca compatibile | Lexmark |
Modello compatibile | Lexmark CS410n |
Configurazione della memoria | 1 x 2GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1333 MHz |
No. di articolo | 14223283 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP129576 |
Data di rilascio | 13.11.2020 |
Marca compatibile | Lexmark |
Modello compatibile | Lexmark CS410n |
Configurazione della memoria | 1 x 2GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1333 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 2 GB |
Chip RAM | DDR3L-1333 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204 x |
Tensione elettrica | 1.35 V |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |