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PHS-memory 2GB di memoria RAM per FOXCONN nT-i1200 DDR3 SO DIMM 1333MHz PC3-10600S
FOXCONN nT-i1200, 1 x 2GBConsegna tra sab, 9.8. e mer, 13.8.
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Informazioni sul prodotto
La memoria RAM da 2GB di PHS-memory è progettata specificamente per il modello FOXCONN nT-i1200 e offre un'espansione affidabile e potente della memoria. Con una frequenza di clock di 1333 MHz e il fattore di forma DDR3 SO-DIMM, questa RAM è ottimale per le esigenze delle applicazioni moderne. La configurazione a 204 pin e la tensione operativa di 1,5 Volt garantiscono un utilizzo efficiente dell'energia e la compatibilità con il sistema corrispondente. Questa memoria è una scelta ideale per gli utenti che desiderano aumentare le prestazioni del loro FOXCONN nT-i1200, sia per compiti quotidiani che per applicazioni più impegnative.
- 100% compatibile con FOXCONN nT-i1200
- Frequenza di clock di 1333 MHz
- Efficiente dal punto di vista energetico con tensione operativa di 1,5 Volt
- Chip DDR3L-1333 per prestazioni migliorate.
Marca compatibile | Foxconn |
Modello compatibile | FOXCONN nT-i1200 |
Configurazione della memoria | 1 x 2GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1333 MHz |
No. di articolo | 22260325 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP258866 |
Data di rilascio | 19.4.2021 |
Collegamenti esterni |
Marca compatibile | Foxconn |
Modello compatibile | FOXCONN nT-i1200 |
Configurazione della memoria | 1 x 2GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1333 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 2 GB |
Chip RAM | DDR3L-1333 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204 x |
Tensione elettrica | 1.50 V |
Paese di origine | Cina |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |
Le specifiche possono includere traduzioni automatiche non verificate.
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