Name: Modulo di memoria Signature PSD58G480041S GB DDR5
Brand: Patriot
SKU: 32529377
Price: 189 CHF
Availability: InStock

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Patriot

I moduli di memoria DDR5 della Signature Line di Patriot sono progettati per offrire un'enorme potenza prestazionale per le prossime piattaforme Intel. Con un consumo energetico di soli 1,1 V, i moduli DDR5 Signature consumano meno energia e generano meno calore, nonostante l'aumento della frequenza e della velocità. I miglioramenti in termini di efficienza energetica includono un IC di gestione dell'alimentazione (PMIC) integrato, che offre un migliore controllo della regolazione della tensione locale, garantendo al contempo una soglia di protezione aumentata, monitoraggio simultaneo e funzioni intelligenti di gestione della tensione e dell'energia. La serie DDR5 della Signature Line include sensori di temperatura integrati per monitorare e proteggere da problemi termici, oltre a consentire una migliore reportistica complessiva. Inoltre, il più recente ECC (Error-Correcting Code) on-die migliora ulteriormente l'accuratezza dell'elaborazione dei dati e la stabilità dell'intero sistema.

Con una garanzia a vita limitata, la RAM DDR5 della Signature Line di Patriot è la scelta innovativa per appassionati sistemisti e per coloro che desiderano potenziare le prestazioni di memoria del proprio sistema. I moduli di memoria DDR5 della Signature Line offrono una vasta gamma di capacità e configurazioni, consentendo agli utenti di sfruttare al meglio le ultime piattaforme Intel e garantire la massima compatibilità.

Immagine prodotto Patriot Modulo di memoria Signature PSD58G480041S GB DDR5 (1 x 8GB, 4800 MHz, RAM DDR5, SO-DIMM)

Le specifiche più importanti in sintesi

Configurazione della memoria

Tipo di RAM

Frequenza di clock di memorizzazione

RAM tampone

Tecnologie e meccanismi nella memoria principale che migliorano la stabilità e l'affidabilità riducendo i carichi elettrici o garantendo l'integrità dei dati attraverso la correzione degli errori.

Latenza CAS

La latenza CAS è il tempo di ritardo che intercorre tra il momento in cui un controller di memoria dice al modulo di memoria di accedere a una particolare colonna in una riga selezionata, e il momento in cui i dati dalla posizione dell'array dato è disponibile sui pin di uscita del modulo.

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