Memorysolution DDR3L
Acer Aspire ES1-512, 1 x 8GBInformazioni sul prodotto
L'articolo MS8192AC-NB142 è un'espansione di memoria per l'ACER Aspire ES1-512, che è dotato di 4 GB di RAM di fabbrica. Il sistema ACER Aspire ES1-512 può essere aggiornato fino a un massimo di 8 GB di RAM. Per l'upgrade massimo della memoria, il dispositivo dispone di 1 slot.
In parte, le informazioni fornite dai produttori riguardo all'espansione massima della memoria possono essere obsolete e potrebbero differire dalle nostre indicazioni. Perché? Perché la tecnologia avanza sempre più rapidamente o le revisioni dei produttori di memoria cambiano così in fretta che faticano a tenere il passo con la certificazione, e i modelli più vecchi non vengono nemmeno più validati.
Qui entra in gioco Memorysolution con test approfonditi e garantisce la disponibilità continua dell'upgrade, ben oltre il ciclo di produzione dei produttori. Il nostro modulo di memoria qualificato per l'ACER Aspire ES1-512 è completamente funzionante anche sotto carico massimo e rispetta assolutamente le specifiche del produttore.
Più veloce, migliore grazie all'upgrade della memoria, espandi il tuo sistema: più potenza grazie a più RAM (memoria di lavoro)! L'articolo MS8192AC-NB142 per l'ACER Aspire ES1-512 è ottimamente equipaggiato con un'espansione massima della memoria di 8 GB.
RAM tampone | Senza buffer |
Tipo di RAM | DDR3L-RAM |
Modello compatibile | Acer Aspire ES1-512 |
Marca compatibile | Acer |
Configurazione della memoria | 1 x 8GB |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1350 MHz |
No. di articolo | 14286076 |
Produttore | Memorysolution |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | MS8192AC-NB142 |
Data di rilascio | 14.11.2020 |
Marca compatibile | Acer |
Modello compatibile | Acer Aspire ES1-512 |
Configurazione della memoria | 1 x 8GB |
Settori di utilizzo | Notebook |
Tipo di RAM | DDR3L-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1350 MHz |
No. moduli di memoria (RAM) | 1 x |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 8 GB |
Chip RAM | DDR3L-1333 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204 x |
RAM tampone | Senza buffer |
Tensione elettrica | 1.35 V |
Paese di origine | Cina |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |