HyperX Impatto
1 x 4GB, 1866 MHz, DDR3L-RAM, SO-DIMMConsegna tra ven, 16.5. e mer, 28.5.
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Configurazione della memoria
Informazioni sul prodotto
Il modulo è stato testato con latenze di 11-11-11-34 a 1866 MHz e richiede una tensione di 1,35 Volt o 1,5 Volt. Il modulo SO-DIMM Unbuffered da 204 pin è dotato di chip FBGA e presenta contatti placcati in oro.
Memoria HyperX Impact SO-DDR3L 4GB, formato della memoria: SO-DIMM, tipo di memoria: DDR3L, numero di moduli di memoria nel kit: 1, capacità di memoria per modulo: 4 GB.
Tipo di RAM | DDR3L-RAM |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1866 MHz |
Latenza CAS | 11 |
Tensione elettrica | 1.35 V |
No. di articolo | 6060005 |
Produttore | HyperX |
Categoria | Memoria RAM |
No. di fabbricazione | HX318LS11IB/4 |
Data di rilascio | 22.12.2016 |
Colore | Nero |
Descrizione dettagliata del colore | Nero |
Colore LED | Senza LED |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Settori di utilizzo | Notebook |
Tipo di RAM | DDR3L-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1866 MHz |
Chip RAM | DDR3L-1866 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204 x |
RAM tampone | Senza buffer |
Latenza CAS | 11 |
Tensione elettrica | 1.35 V |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |
Altezza | 30 mm |
Lunghezza | 17 cm |
Larghezza | 5.60 cm |
Altezza | 1.50 cm |
Peso | 26 g |
Le specifiche possono includere traduzioni automatiche non verificate.
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Politica sui resi
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Valutazioni e opinioni
Ritenuta di garanzia
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Fonte: Digitec Galaxus- HyperXDati non sufficienti
- 1.Lenovo0 %
- 2.HP0.2 %
- 2.Silicon Power0.2 %
- 2.V70.2 %
Durata della garanzia
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- 1.Samsung0 giorni
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Percentuale di reso
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- 2.Origin Storage2.6 %
- 3.V74.1 %
- 4.Kingston4.8 %
Fonte: Digitec Galaxus