Name: GR2400D464L17/16G
Brand: Goodram
SKU: 13912797
Price: 129 CHF
Availability: InStock

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Goodram

DDR4 DIMM DRAM

I moduli di memoria DDR4 sono progettati per le ultime piattaforme Intel. La generazione DDR4 è attualmente il formato più popolare tra tutti i moduli di memoria e viene preferita dagli utenti.

Pronto per il gioco

La memoria GOODRAM DDR4 è disponibile con 4 GB, 8 GB o 16 GB di memoria in un singolo modulo e può essere utilizzata in configurazioni a singolo e doppio canale (8, 16, 32 GB). Una frequenza di clock di 3200 MHz rende GOODRAM una scelta eccellente, indipendentemente dal tipo di compito da svolgere.

Massima qualità = garanzia a vita

Tutti i moduli di memoria GOODRAM sono prodotti in Polonia con componenti accuratamente selezionati e sottoposti a test di qualità multilivello prima di arrivare sul mercato. Il dipartimento di controllo qualità garantisce che ogni modulo sia perfettamente preparato per anni di utilizzo, motivo per cui offriamo ai nostri utenti una garanzia a vita.

Efficienza energetica e prestazioni stabili

Rispetto alle soluzioni precedenti, i moduli DDR4 hanno una tensione di alimentazione di 1,2 V, il che consente una riduzione dei costi operativi e un aumento del risparmio energetico fino al 40%. Il design del PCB differente dei DDR4 rispetto alle generazioni precedenti aumenta notevolmente la resistenza ai danni meccanici e ai picchi di tensione nel dispositivo. Di conseguenza, i moduli DDR4 si distinguono per affidabilità e stabilità anche nelle condizioni operative più sfavorevoli.

Immagine prodotto Goodram GR2400D464L17/16G (1 x 16GB, 2400 MHz, DDR4-RAM, DIMM)

Le specifiche più importanti in sintesi

Configurazione della memoria

Tipo di RAM

Frequenza di clock di memorizzazione

RAM tampone

Tecnologie e meccanismi nella memoria principale che migliorano la stabilità e l'affidabilità riducendo i carichi elettrici o garantendo l'integrità dei dati attraverso la correzione degli errori.

Latenza CAS

La latenza CAS è il tempo di ritardo che intercorre tra il momento in cui un controller di memoria dice al modulo di memoria di accedere a una particolare colonna in una riga selezionata, e il momento in cui i dati dalla posizione dell'array dato è disponibile sui pin di uscita del modulo.

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