Ixys IXTH360N055T2 MOSFET 1 canal N 935 W TO-247AD

Le IXYS IXTH360N055T2 est un MOSFET à canal N puissant, conçu pour des applications exigeantes en électronique. Avec une puissance nominale maximale de 935 watts et une tension de claquage de 55 volts, ce transistor offre une grande efficacité et fiabilité. Le MOSFET est logé dans un boîtier TO-247AD, permettant un montage facile par trou traversant. La température de fonctionnement varie de -55 °C à +175 °C, ce qui le rend adapté à divers environnements. Avec une faible R(DS)(on) de 2,4 mΩ et un courant de drain maximal de 360 A, ce transistor est idéal pour des applications nécessitant de forts courants et tensions. La technologie TrenchT2™ assure une performance et une efficacité améliorées, tandis que des caractéristiques spécifiques telles que la charge de grille de 330 nC et la capacité d'entrée de 20 000 pF permettent un contrôle précis.

• Température de fonctionnement maximale de +175 °C et minimale de -55 °C
• Faible R(DS)(on) de 2,4 mΩ pour une grande efficacité
• Courant de drain maximal de 360 A
• Capacité d'entrée C(ISS) de 20 000 pF
• Technologie TrenchT2™ pour une performance améliorée.