High Performance GaN Light-Emitting Diode

La diode électroluminescente GaN haute performance est une diode avancée basée sur la technologie InGaN/GaN. Ces LED se distinguent par leur haute fiabilité et leur efficacité, ce qui en fait un choix idéal pour diverses applications dans le domaine de l'éclairage. La performance de ces diodes a été largement étudiée, en tenant compte de différentes longueurs d'onde d'émission et géométries. Les tests réalisés incluent l'analyse des caractéristiques courant-tension, le spectre de bruit 1/f, les courants de fuite et la résistance statique. De plus, les diodes ont été soumises à un test de stress à courant continu de 1000 heures pour évaluer la dégradation de la sortie optique. Les résultats de ces études offrent des aperçus précieux sur la performance et la longévité de ces LED.

• Haute fiabilité et efficacité grâce à la technologie InGaN/GaN
• Analyses de performance complètes, y compris les caractéristiques courant-tension et le spectre de bruit
• Test de stress à long terme pour évaluer la dégradation de la sortie optique.