Ixys IXTH360N055T2 MOSFET 1 canale N 935 W TO-247AD

Il IXYS IXTH360N055T2 è un potente MOSFET a canale N, progettato per applicazioni impegnative nell'elettronica. Con una potenza nominale massima di 935 Watt e una tensione di rottura di 55 Volt, questo transistor offre alta efficienza e affidabilità. Il MOSFET è racchiuso in un involucro TO-247AD, che consente un facile montaggio tramite foro passante. La temperatura di funzionamento varia da -55 °C a +175 °C, rendendolo adatto a diverse ambienti. Con una bassa R(DS)(on) di 2,4 mΩ e una corrente massima di drenaggio di 360 A, questo transistor è ideale per applicazioni che richiedono alte correnti e tensioni. La tecnologia TrenchT2™ garantisce prestazioni e efficienza migliorate, mentre le caratteristiche specifiche come la carica del gate di 330 nC e la capacità di ingresso di 20.000 pF consentono un controllo preciso.

• Temperatura massima di funzionamento di +175 °C e minima di -55 °C
• Bassa R(DS)(on) di 2,4 mΩ per alta efficienza
• Corrente massima di drenaggio di 360 A
• Capacità di ingresso C(ISS) di 20.000 pF
• Tecnologia TrenchT2™ per prestazioni migliorate.