Vishay IR-Fototransistor 850 nm 70 V TO-18

Der IR-Fototransistor 850 nm 70 V TO-18 von Vishay ist ein hochentwickeltes elektronisches Bauteil, das speziell für Anwendungen in der Infrarot-Technologie konzipiert wurde. Mit einer Empfindlichkeitsspitze bei 850 nm ist dieser Fototransistor ideal für die Erkennung von Infrarotlicht und eignet sich hervorragend für verschiedene optoelektronische Anwendungen. Der Transistor bietet eine maximale Kollektor-Emitter-Spannung von 70 V und eine Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung von nur 0,3 V, was ihn zu einer effizienten Wahl für präzise Schaltungen macht. Die schnelle Abfallzeit von maximal 5 µs ermöglicht eine zuverlässige Leistung in dynamischen Anwendungen. Der TO-18 Gehäusetyp sorgt für eine kompakte Bauweise, die in unterschiedlichen elektronischen Geräten eingesetzt werden kann.

• Maximale Kollektor-Emitter-Spannung von 70 V
• Schnelle Abfallzeit von maximal 5 µs
• Kollektorstrom von bis zu 50 mA
• Empfindlichkeitsspitze bei 850 nm.