Vishay IR-Fototransistor 850 nm 70 V T-1 3/4 5 mm

Der IR-Fototransistor von Vishay ist ein hochentwickeltes Bauelement, das speziell für Anwendungen in der Infrarot-Technologie konzipiert wurde. Mit einer Empfindlichkeit bei einer Wellenlänge von 850 nm eignet sich dieser Transistor ideal für verschiedene optoelektronische Anwendungen. Er bietet eine maximale Kollektor-Emitter-Spannung von 70 V und einen maximalen Kollektorstrom von 50 mA, was ihn zu einer zuverlässigen Wahl für präzise Steuerungs- und Detektionsaufgaben macht. Die Abfallzeit von maximal 2,3 µs sorgt für schnelle Reaktionszeiten, während die Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung von nur 0,3 V eine hohe Effizienz gewährleistet. Mit einem kompakten T-1 3/4 Gehäuse und einem Durchmesser von 5 mm ist dieser Fototransistor einfach in verschiedene Schaltungen zu integrieren und bietet eine hervorragende Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen.

• Maximale Kollektor-Emitter-Spannung von 70 V
• Schnelle Abfallzeit von maximal 2,3 µs
• Hohe Empfindlichkeit bei 850 nm Wellenlänge
• Kompakte Bauform im T-1 3/4 Gehäuse.