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Der PNY 16GB DDR5 4800 SO-DIMM Speicher ist eine leistungsstarke Lösung für alle, die die Effizienz und Geschwindigkeit ihres Notebooks steigern möchten. Mit einer Datenrate von 4800 MHz bietet dieser RAM eine verbesserte Bandbreite und einen geringeren Energieverbrauch, was zu einer optimierten Leistung bei speicherintensiven Anwendungen führt. Ob für Grafikdesign, Video-Editing oder das gleichzeitige Arbeiten mit mehreren Browserfenstern – dieser Speicher ermöglicht eine reibungslose Nutzung. PNY hat über 40 Jahre Erfahrung in der Entwicklung und Herstellung von Speichermodulen, was sich in der Stabilität und Zuverlässigkeit dieses Produkts widerspiegelt. Der SO-DIMM Formfaktor ist speziell für Notebooks konzipiert und sorgt dafür, dass Ihr Gerät auch bei anspruchsvollen Aufgaben schnell und reaktionsfähig bleibt.

- Erhöhte Geschwindigkeit für speicherintensive Anwendungen
- Geringerer Energieverbrauch für längere Akkulaufzeit
- Optimierte thermische Leistung für stabile Nutzung
- Zuverlässige Leistung durch jahrelange Erfahrung von PNY.

Produktbild PNY Speicher 16GB DDR5 4800 SO-DIMM MN16GSD54800-SB (1 x 16GB, 4800 MHz, DDR5-RAM, SO-DIMM)

Das Wichtigste auf einen Blick

Speicherkonfiguration

Arbeitsspeichertyp

Speichertaktfrequenz

CAS-Latenzzeit

Die CAS-Latenzzeit ist die Verzögerungszeit, die zwischen dem Moment vergeht, in dem eine Speichersteuerung dem Speichermodul mitteilt, auf eine bestimmte Spalte in einer ausgewählten Zeile zuzugreifen, und dem Moment, in dem die Daten von dem angegebenen Array-Platz auf den Ausgangspins des Moduls verfügbar sind.

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