PHS-memory RAM passend für Supermicro H12DSI-N6-B

Der RAM von PHS-memory ist speziell für das Supermicro H12DSI-N6-B Modell konzipiert und bietet eine Speicherkapazität von 128 GB. Dieser DDR4-RAM ist mit einer Taktfrequenz von 3200 MHz ausgestattet und gewährleistet eine hohe Leistung und Effizienz für anspruchsvolle Anwendungen. Der RAM ist als ECC Registered konzipiert, was bedeutet, dass er über eine Fehlerkorrekturfunktion verfügt, die die Datenintegrität verbessert und die Systemstabilität erhöht. Mit einer Spannung von 1,2 Volt ist dieser Arbeitsspeicher energieeffizient und trägt zur Reduzierung des Stromverbrauchs bei. Die DIMM-Formfaktorkonstruktion ermöglicht eine einfache Installation in kompatiblen Systemen. Dieser RAM ist die ideale Wahl für Benutzer, die eine zuverlässige und leistungsstarke Speicherlösung für ihre Supermicro H12DSI-N6-B Systeme suchen.

• Speicherkapazität von 128 GB für hohe Leistungsanforderungen
• DDR4-RAM mit einer Taktfrequenz von 3200 MHz
• ECC Registered für verbesserte Datenintegrität und Systemstabilität
• Energieeffizient mit einer Spannung von 1,2 Volt.