PHS-memory RAM passend für Gigabyte H410M S2 V2 (rev. 1.1/1.2/1.3/1.4/1.6)
1 x 8GBMehr als 10 Stück an Lager beim Lieferanten
Speicherkonfiguration4
Produktinformationen
Der PHS-memory RAM ist ein leistungsstarker 8GB DDR4-RAM, der speziell für die Gigabyte H410M S2 V2 (rev. 1.1/1.2/1.3/1.4/1.6) Mainboards entwickelt wurde. Mit einer Speichertaktfrequenz von 2666 MHz bietet dieser Arbeitsspeicher eine zuverlässige und effiziente Leistung für verschiedene Anwendungen, von alltäglichen Aufgaben bis hin zu anspruchsvolleren Programmen. Der unbuffered U-DIMM Formfaktor sorgt für eine einfache Installation und Kompatibilität mit dem Mainboard. Mit einer Spannung von 1.2 Volt ist dieser RAM nicht nur energieeffizient, sondern auch optimal für den Einsatz in modernen Computersystemen geeignet. Die 288 Pins gewährleisten eine stabile Verbindung und eine hohe Datenübertragungsrate, was zu einer verbesserten Gesamtleistung des Systems beiträgt.
- Kompatibel mit Gigabyte H410M S2 V2 (rev. 1.1/1.2/1.3/1.4/1.6)
- Speichertaktfrequenz von 2666 MHz für verbesserte Leistung
- Unbuffered U-DIMM Formfaktor für einfache Installation
- Energieeffiziente 1.2 Volt Spannung.
Passende Marke | Gigabyte |
Speicherkonfiguration | 1 x 8GB |
Arbeitsspeichertyp | DDR4-RAM |
Speichertaktfrequenz | 2666 MHz |
RAM-Puffer | unbuffered |
Artikelnummer | 37104811 |
Hersteller | PHS-memory |
Kategorie | RAM Modellspezifisch |
Herstellernr. | SP492279 |
Release-Datum | 16.7.2023 |
LED Farbe | ohne LED |
Passende Marke | Gigabyte |
Speicherkonfiguration | 1 x 8GB |
Hardware Anwendungsbereich | Standard |
Arbeitsspeichertyp | DDR4-RAM |
Speichertaktfrequenz | 2666 MHz |
Speicherkapazität (RAM) pro Modul | 8 GB |
Arbeitsspeicher Chip | DDR4 |
Anzahl Pins | 288x |
RAM-Puffer | unbuffered |
Spannung | 1.20 V |
Ursprungsland | China |
CO₂-Emission | 81.33 kg |
Klimabeitrag | CHF 1.93 |