PHS-memory RAM passend für Gigabyte H410M H V3 (rev. 1.0)
Gigabyte H410M H V3 (rev. 1.0), 1 x 4GB9 Stück an Lager beim Drittanbieter
Speicherkonfiguration
Produktinformationen
Der PHS-memory RAM ist ein 4GB DDR4-RAM-Modul, das speziell für das Mainboard Gigabyte H410M H V3 (rev. 1.0) entwickelt wurde. Mit einer Speichertaktfrequenz von 2666 MHz bietet dieser Arbeitsspeicher eine zuverlässige Leistung für verschiedene Anwendungen. Der U-DIMM Formfaktor und die unbuffered Konfiguration machen ihn zu einer idealen Wahl für Desktop-Systeme, die eine verbesserte Reaktionsfähigkeit und Multitasking-Fähigkeit benötigen. Mit einer Spannung von 1.2 Volt ist dieser RAM energieeffizient und trägt zur Stabilität des Systems bei. Die 288 Pins sorgen für eine einfache Installation und Kompatibilität mit dem entsprechenden Mainboard. Dieser RAM ist eine ausgezeichnete Wahl für alle, die die Leistung ihres Systems optimieren möchten.
- Speicherkapazität von 4GB pro Modul
- Speichertaktfrequenz von 2666 MHz
- U-DIMM Formfaktor für Desktop-Systeme
- Unbuffered RAM für verbesserte Systemstabilität.
Passende Marke | Gigabyte |
Passendes Modell | Gigabyte H410M H V3 (rev. 1.0) |
Speicherkonfiguration | 1 x 4GB |
Arbeitsspeichertyp | DDR4-RAM |
Speichertaktfrequenz | 2666 MHz |
RAM-Puffer | unbuffered |
Artikelnummer | 22339944 |
Hersteller | PHS-memory |
Kategorie | RAM Modellspezifisch |
Herstellernr. | SP384805 |
Release-Datum | 16.9.2022 |
Passende Marke | Gigabyte |
Passendes Modell | Gigabyte H410M H V3 (rev. 1.0) |
Speicherkonfiguration | 1 x 4GB |
Arbeitsspeichertyp | DDR4-RAM |
Speichertaktfrequenz | 2666 MHz |
Speicherkapazität (RAM) pro Modul | 4 GB |
Arbeitsspeicher Chip | DDR4 |
Arbeitsspeicher Formfaktor | U-DIMM |
Anzahl Pins | 288 x |
RAM-Puffer | unbuffered |
Spannung | 1.20 V |
CO₂-Emission | |
Klimabeitrag |