PHS-memory RAM passend für Buffalo WS5420RN

Buffalo WS5420RN, 1 x 16GB
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Speicherkonfiguration2

Produktinformationen

Der RAM von PHS-memory ist speziell für das Modell Buffalo WS5420RN konzipiert und bietet eine Speicherkapazität von 16 GB. Dieser Arbeitsspeicher ist mit einer Speichertaktfrequenz von 2400 MHz ausgestattet und nutzt die DDR4-Technologie, die für ihre hohe Effizienz und Geschwindigkeit bekannt ist. Der SO-DIMM Formfaktor ermöglicht eine einfache Integration in kompatible Systeme. Zudem verfügt der RAM über einen Error Correcting Code (ECC), der die Datenintegrität verbessert und Fehler während des Betriebs korrigiert. Mit einer Betriebsspannung von 1,2 Volt ist dieser RAM nicht nur leistungsstark, sondern auch energieeffizient, was ihn zu einer idealen Wahl für Nutzer macht, die Wert auf Zuverlässigkeit und Leistung legen.

  • Speicherkapazität von 16 GB für verbesserte Multitasking-Fähigkeiten
  • DDR4-Technologie für höhere Geschwindigkeit und Effizienz
  • Error Correcting Code (ECC) zur Verbesserung der Datenintegrität
  • Niedrige Betriebsspannung von 1,2 Volt für Energieeffizienz.

Das Wichtigste auf einen Blick

Passende Marke
Buffalo
RAM für Modell
Buffalo WS5420RN
Speicherkonfiguration
1 x 16GB
Arbeitsspeichertyp
DDR4-RAM
Speichertaktfrequenz
2400 MHz
RAM-Puffer
Error Correcting Code

Allgemeine Informationen

Artikelnummer
22343785
Hersteller
PHS-memory
Kategorie
RAM Modellspezifisch
Herstellernr.
SP345511
Release-Datum
16.9.2022

Arbeitsspeicher

Passende Marke
Buffalo
RAM für Modell
Buffalo WS5420RN
Speicherkonfiguration
1 x 16GB
Arbeitsspeichertyp
DDR4-RAM
Speichertaktfrequenz
2400 MHz
Speicherkapazität (RAM) pro Modul
16 GB
Arbeitsspeicher Chip
DDR4
Arbeitsspeicher Formfaktor
SO-DIMM
Anzahl Pins
260x
RAM-Puffer
Error Correcting Code

Energieversorgung

Spannung
1.20 V

Freiwilliger Klimabeitrag

CO₂-Emission
81.33 kg
Klimabeitrag
CHF 1.93

30 Tage Rückgaberecht
5 Jahre Garantie (Bring-In)

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