PHS-memory RAM passend für BIOSTAR H510MH/E 2.0 Ver. 6.0
BIOSTAR H510MH/E 2.0 Ver. 6.0, 1 x 4GB5 Stück an Lager beim Lieferanten
Speicherkonfiguration
Produktinformationen
Der RAM von PHS-memory ist speziell für das Motherboard BIOSTAR H510MH/E 2.0 Ver. 6.0 konzipiert und bietet eine zuverlässige Leistung für verschiedene Anwendungen. Mit einer Speicherkapazität von 4 GB und einer Taktfrequenz von 2666 MHz gewährleistet dieser DDR4-RAM eine effiziente Datenverarbeitung und verbesserte Systemgeschwindigkeit. Der DIMM-Formfaktor und die 288 Pins machen die Installation einfach und kompatibel mit dem entsprechenden Motherboard. Dieser Arbeitsspeicher ist ideal für Nutzer, die eine kosteneffiziente Lösung zur Aufrüstung ihres Systems suchen, ohne Kompromisse bei der Leistung einzugehen. Die Spannung von 1.2 Volt sorgt für einen energieeffizienten Betrieb, was ihn zu einer umweltfreundlichen Wahl für moderne Computeranwendungen macht.
- Speicherkapazität von 4 GB für verbesserte Systemleistung
- Taktfrequenz von 2666 MHz für schnelle Datenverarbeitung
- Energieeffiziente 1.2 Volt Spannung
- Kompatibel mit BIOSTAR H510MH/E 2.0 Ver. 6.0.
Passende Marke | Biostar |
Passendes Modell | BIOSTAR H510MH/E 2.0 Ver. 6.0 |
Speicherkonfiguration | 1 x 4GB |
Arbeitsspeichertyp | DDR4-RAM |
Speichertaktfrequenz | 2666 MHz |
RAM-Puffer | unbuffered |
Artikelnummer | 22344505 |
Hersteller | PHS-memory |
Kategorie | RAM Modellspezifisch |
Herstellernr. | SP379218 |
Release-Datum | 16.9.2022 |
Passende Marke | Biostar |
Passendes Modell | BIOSTAR H510MH/E 2.0 Ver. 6.0 |
Speicherkonfiguration | 1 x 4GB |
Arbeitsspeichertyp | DDR4-RAM |
Speichertaktfrequenz | 2666 MHz |
Speicherkapazität (RAM) pro Modul | 4 GB |
Arbeitsspeicher Chip | DDR4 |
Arbeitsspeicher Formfaktor | U-DIMM |
Anzahl Pins | 288 x |
RAM-Puffer | unbuffered |
Spannung | 1.20 V |
Ursprungsland | China |
CO₂-Emission | |
Klimabeitrag |