Name: Signature Memory, DDR5, 16GB, 4800MHz, CL40 (PSD516G480081)
Brand: Patriot
SKU: 21063659
Price: 225 CHF
Availability: InStock

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Patriot

Die DDR5-Speichermodule der Signature Line von Patriot sind darauf ausgelegt, eine immense Leistungssteigerung für die nächsten Intel-Plattformen zu bieten. Mit nur 1,1 V Stromverbrauch verbrauchen die Signature DDR5-Module weniger Energie und erzeugen weniger Wärme, trotz der erhöhten Frequenz und Geschwindigkeit. Verbesserte Energieoptimierungen umfassen einen integrierten Power Management IC (PMIC), der eine bessere Kontrolle der lokalen Spannungsregulierung ermöglicht und gleichzeitig einen erhöhten Schutzschwellenwert, gleichzeitige Überwachung sowie intelligente Spannungs- und Energieverwaltung bietet. Die DDR5-Serie der Signature Line beinhaltet integrierte Temperatursensoren, um thermische Probleme zu überwachen und zu schützen sowie eine bessere Gesamtberichterstattung zu ermöglichen. Darüber hinaus verbessert der neueste On-Die ECC (Error-Correcting Code) die Genauigkeit der Datenverarbeitung und die Stabilität Ihres Gesamtsystems weiter.

Mit einer begrenzten lebenslangen Garantie ist der DDR5-RAM der Signature Line von Patriot die bahnbrechende Wahl für engagierte Systemintegratoren und diejenigen, die die Speicherleistung ihres Systems erweitern möchten. Die DDR5-Speichermodule der Signature Line bieten eine breite Palette von Kapazitäten und Konfigurationen, die es den Nutzern ermöglichen, das Beste aus den neuesten Intel-Plattformen herauszuholen und die beste Kompatibilität zu gewährleisten.

Produktbild Patriot Signature Memory, DDR5, 16GB, 4800MHz, CL40 (PSD516G480081) (1 x 16GB, 4800 MHz, DDR5-RAM, DIMM)

Das Wichtigste auf einen Blick

Speicherkonfiguration

Arbeitsspeichertyp

Speichertaktfrequenz

RAM-Puffer

Technologien und Mechanismen im Arbeitsspeicher, welche die Stabilität und Zuverlässigkeit verbessern, indem sie elektrische Lasten reduzieren oder die Datenintegrität durch Fehlerkorrektur sicherstellen.

CAS-Latenzzeit

Die CAS-Latenzzeit ist die Verzögerungszeit, die zwischen dem Moment vergeht, in dem eine Speichersteuerung dem Speichermodul mitteilt, auf eine bestimmte Spalte in einer ausgewählten Zeile zuzugreifen, und dem Moment, in dem die Daten von dem angegebenen Array-Platz auf den Ausgangspins des Moduls verfügbar sind.

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