OWC OWC2666DDR4S08G
1 x 8GB, 2666 MHz, DDR4-RAM, SO-DIMMNur 1 Stück an Lager beim Lieferanten
Speicherkonfiguration
Produktinformationen
Der OWC2666DDR4S08G ist ein leistungsstarkes DDR4-RAM-Modul mit einer Speicherkapazität von 8 GB, das speziell für den Einsatz in Notebooks und bestimmten Apple-Geräten entwickelt wurde. Mit einer Speichertaktfrequenz von 2666 MHz und einer CAS-Latenz von 19 bietet dieses SO-DIMM-Modul eine zuverlässige und effiziente Leistung für verschiedene Anwendungen. Es ist ungepuffert und non-ECC, was es ideal für den Einsatz in Consumer-Geräten macht. Die 260-Pin-Konfiguration sorgt für eine einfache Installation in kompatiblen Systemen, während die Betriebsspannung von 1,2 V den Energieverbrauch optimiert. Dieses Modul ist eine ausgezeichnete Wahl für Nutzer, die die Leistung ihres Systems steigern möchten, sei es für alltägliche Aufgaben oder anspruchsvollere Anwendungen.
- Speicherkapazität von 8 GB für verbesserte Multitasking-Fähigkeiten
- 2666 MHz Speichertaktfrequenz für schnelle Datenverarbeitung
- Ungepuffert und non-ECC für optimale Leistung in Consumer-Geräten
- Kompatibel mit bestimmten Apple iMac und Mac mini Modellen.
Arbeitsspeichertyp | DDR4-RAM |
Speicherkonfiguration | 1 x 8GB |
Speichertaktfrequenz | 2666 MHz |
CAS-Latenzzeit | 19 |
RAM Zertifizierung | RoHS |
Spannung | 1.20 V |
Artikelnummer | 12801947 |
Hersteller | OWC |
Kategorie | RAM |
Herstellernr. | OWC2666DDR4S08G |
Release-Datum | 26.2.2020 |
Verkaufsrang in Kategorie RAM | 419 von 4472 |
Speicherkonfiguration | 1 x 8GB |
Hardware Anwendungsbereich | Notebook |
Arbeitsspeichertyp | DDR4-RAM |
Speichertaktfrequenz | 2666 MHz |
Arbeitsspeicher Chip | DDR4-2666 |
Arbeitsspeicher Formfaktor | SO-DIMM |
Anzahl Pins | 260 x |
RAM-Puffer | unbuffered |
CAS-Latenzzeit | 19 |
RAM Zertifizierung | RoHS |
Spannung | 1.20 V |
Ursprungsland | China |
CO₂-Emission | |
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Bewertungen & Meinungen
Garantiefallquote
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