Ixys IXTH360N055T2 MOSFET 1 N-Kanal 935 W TO-247AD

Der IXYS IXTH360N055T2 ist ein leistungsstarker N-Kanal MOSFET, der für anspruchsvolle Anwendungen in der Elektronik entwickelt wurde. Mit einer maximalen Nennleistung von 935 Watt und einer Abbruchspannung von 55 Volt bietet dieser Transistor eine hohe Effizienz und Zuverlässigkeit. Der MOSFET ist in einem TO-247AD-Gehäuse untergebracht, das eine einfache Montage durch Durchführungsloch ermöglicht. Die Betriebstemperatur reicht von -55 °C bis +175 °C, was ihn für verschiedene Umgebungen geeignet macht. Mit einem niedrigen R(DS)(on) von 2,4 mΩ und einer maximalen Drain-Stromstärke von 360 A ist dieser Transistor ideal für Anwendungen, die hohe Ströme und Spannungen erfordern. Die TrenchT2™-Technologie sorgt für eine verbesserte Leistung und Effizienz, während die spezifischen Eigenschaften wie die Gate-Ladung von 330 nC und die Eingangskapazität von 20.000 pF eine präzise Steuerung ermöglichen.

• Maximale Betriebstemperatur von +175 °C und minimale von -55 °C
• Niedriger R(DS)(on) von 2,4 mΩ für hohe Effizienz
• Maximaler Drain-Strom von 360 A
• Eingangskapazität C(ISS) von 20.000 pF
• TrenchT2™-Technologie für verbesserte Leistung.