High Performance GaN Light-Emitting Diode

Die High Performance GaN Light-Emitting Diode ist eine fortschrittliche Leuchtdiode, die auf der InGaN/GaN-Technologie basiert. Diese LEDs zeichnen sich durch ihre hohe Zuverlässigkeit und Effizienz aus, was sie zu einer idealen Wahl für verschiedene Anwendungen in der Beleuchtungstechnik macht. Die Leistung dieser Dioden wurde umfassend untersucht, wobei verschiedene Emissionswellenlängen und Geometrien berücksichtigt wurden. Zu den durchgeführten Tests gehören die Analyse der Strom-Spannungs-Eigenschaften, das 1/f-Rauschspektrum, Leckströme und der statische Widerstand. Darüber hinaus wurden die Dioden einem 1000-stündigen Dauerstrom-Stresstest unterzogen, um die optische Ausgangsdegradation zu bewerten. Die Ergebnisse dieser Studien bieten wertvolle Einblicke in die Leistungsfähigkeit und Langlebigkeit dieser LEDs.

• Hohe Zuverlässigkeit und Effizienz durch InGaN/GaN-Technologie
• Umfassende Leistungsanalysen, einschliesslich Strom-Spannungs-Eigenschaften und Rauschspektrum
• Langzeitstresstest zur Bewertung der optischen Ausgangsdegradation.