Goodram GR3200S464L22S/8G Speichermodul GB DDR4
1 x 8GB, 3200 MHz, DDR4-RAM, SO-DIMMMehr als 10 Stück an Lager beim Drittanbieter
Produktinformationen
DDR4 SODIMM 3200MHz DRAM
DDR4 SODIMM-Module sind perfekt für mobile PCs, die einen kompakten Formfaktor benötigen und eine kostengünstige, aber effektive Aufrüstung erfordern. Die DDR4-Generation ist die neueste der DDR-Familie und erfreut sich daher grosser Beliebtheit.
Bereit zum Spielen
GOODRAM DDR4-Speicher ist mit 8 GB oder 16 GB Speicher in einem Modul erhältlich und nur in Single-Channel-Konfigurationen verfügbar. Die Taktfrequenz von 3200 MHz macht GOODRAM zu einer ausgezeichneten Wahl, egal welche Art von Aufgabe erledigt werden muss.
Lebenslange Garantie
Alle GOODRAM-Speichermodule werden in Polen aus sorgfältig ausgewählten Komponenten hergestellt und durchlaufen mehrstufige Qualitätstests, bevor sie in den Einzelhandel gelangen. Die Qualitätskontrollabteilung stellt sicher, dass jedes Modul perfekt auf viele Jahre Nutzung vorbereitet ist, weshalb wir unseren Nutzern eine lebenslange Garantie bieten.
Zuverlässigkeit und Verarbeitungsqualität
Um die höchste Qualität der GOODRAM-Speichermodule zu gewährleisten, arbeiten wir ausschliesslich mit den besten Zulieferern von Komponenten zusammen und verwenden ausgewählte Speicherchips führender Hersteller. Wir setzen alles daran, dass jeder Speicher, der unsere Produktionslinie verlässt, den höchsten Qualitätsstandards entspricht. Mit diesem Hintergrund können wir alle GOODRAM-Speichermodule mit einer lebenslangen Garantie unterstützen.
Arbeitsspeichertyp | DDR4-RAM |
Speicherkonfiguration | 1 x 8GB |
Speichertaktfrequenz | 3200 MHz |
CAS-Latenzzeit | 22 |
Spannung | 1.20 V |
Artikelnummer | 15684737 |
Hersteller | Goodram |
Kategorie | RAM |
Herstellernr. | GR3200S464L22S/8G |
Release-Datum | 16.4.2021 |
Speicherkonfiguration | 1 x 8GB |
Hardware Anwendungsbereich | Notebook |
Arbeitsspeichertyp | DDR4-RAM |
Speichertaktfrequenz | 3200 MHz |
Arbeitsspeicher Chip | DDR4-3200 |
Arbeitsspeicher Formfaktor | SO-DIMM |
Anzahl Pins | 260 x |
RAM-Puffer | unbuffered |
CAS-Latenzzeit | 22 |
Spannung | 1.20 V |
Ursprungsland | China |
CO₂-Emission | |
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