Name: GR2400D464L17S/8GDC Speichermodul 8 GB DDR4 2400 MHz
Brand: Goodram
SKU: 14174159
Price: 115 CHF
Availability: InStock
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Goodram

DDR4 DIMM DRAM

DDR4-Speichermodule sind für die neuesten Intel-Plattformen konzipiert. Die DDR4-Generation ist derzeit das beliebteste Format unter allen Speichermodulen und wird von den Nutzern bevorzugt.

Bereit zum Spielen

GOODRAM DDR4-Speicher ist mit 4 GB, 8 GB oder 16 GB in einem Modul erhältlich und kann in Einzel- und Dual-Channel-Konfigurationen (8, 16, 32 GB) genutzt werden. Eine Taktfrequenz von 3200 MHz macht GOODRAM zur idealen Wahl, egal welche Art von Aufgabe erledigt werden muss.

Höchste Qualität = lebenslange Garantie

Alle GOODRAM-Speichermodule werden in Polen mit sorgfältig ausgewählten Komponenten hergestellt und durchlaufen mehrstufige Qualitätstests, bevor sie in den Einzelhandel gelangen. Die Qualitätskontrollabteilung stellt sicher, dass jedes Modul perfekt für viele Jahre Nutzung vorbereitet ist, weshalb wir unseren Nutzern eine lebenslange Garantie geben.

Energieeffizienz & stabile Leistung

Im Vergleich zu älteren Lösungen haben DDR4-Module eine Versorgungsspannung von 1,2 V, was eine Reduzierung der Betriebskosten und eine Erhöhung der Energieeinsparungen um bis zu 40 % ermöglicht. Das unterschiedliche PCB-Design von DDR4 im Vergleich zu älteren Generationen erhöht erheblich die Widerstandsfähigkeit gegenüber mechanischen Schäden sowie Spannungsspitzen im Gerät. Infolgedessen zeichnen sich DDR4-Module durch Zuverlässigkeit und Stabilität selbst unter den ungünstigsten Betriebsbedingungen aus.

Produktbild Goodram GR2400D464L17S/8GDC Speichermodul 8 GB DDR4 2400 MHz (1 x 8GB, 2400 MHz, DDR4-RAM, DIMM)

Das Wichtigste auf einen Blick

Speicherkonfiguration

Arbeitsspeichertyp

Speichertaktfrequenz

RAM-Puffer

Technologien und Mechanismen im Arbeitsspeicher, welche die Stabilität und Zuverlässigkeit verbessern, indem sie elektrische Lasten reduzieren oder die Datenintegrität durch Fehlerkorrektur sicherstellen.

CAS-Latenzzeit

Die CAS-Latenzzeit ist die Verzögerungszeit, die zwischen dem Moment vergeht, in dem eine Speichersteuerung dem Speichermodul mitteilt, auf eine bestimmte Spalte in einer ausgewählten Zeile zuzugreifen, und dem Moment, in dem die Daten von dem angegebenen Array-Platz auf den Ausgangspins des Moduls verfügbar sind.

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