Transcend 1GB DDR2 667 CL5 soDIMM

Der TS128MSQ64V6J ist ein 128M x 64Bit DDR2-667 SO-DIMM. Er besteht aus 16 Stück 64Mx8 DDR2 SDRAMs in 60-Ball FBGA-Gehäusen und einem 2048-Bit-Serien-EEPROM auf einer 200-poligen Leiterplatte. Der TS128MSQ64V6J ist ein Dual In-Line Memory Module und ist für die Montage in 200-poligen Randsteckverbindern vorgesehen. Das synchrone Design ermöglicht eine präzise Zyklussteuerung unter Verwendung des Systemtaktes. Daten-I/O-Transaktionen sind an beiden Flanken von DQS möglich. Eine Reihe von Betriebsfrequenzen und programmierbaren Latenzen ermöglicht es, dass dasselbe Gerät für eine Vielzahl von Hochgeschwindigkeits- und Hochleistungs-Speichersystemanwendungen nützlich ist.

Merkmale:

• RoHS-konforme Produkte.
• JEDEC-Standard 1,8V ± 0,1V Stromversorgung
• VDDQ = 1,8V ± 0,1V
• Maximale Taktfrequenz: 333MHz; 667Mb/s pro Pin.
• Posted CAS
• Programmierbare CAS-Latenz: 3, 4, 5
• Programmierbare additive Latenz: 0, 1, 2, 3 und 4
• Schreiblatenz (WL) = Leselatenz (RL) - 1
• Burstlänge: 4, 8 (interleaved/nibble sequenziell)
• Programmierbarer sequenzieller/interleaved Burst-Modus
• Bidirektionaler differenzieller Datenstrobe (einseitiger Datenstrobe ist eine optionale Funktion)
• Off-Chip-Treiber (OCD) Impedanzanpassung
• MRS-Zyklus mit Adressschlüsselprogrammen
• On-Die-Terminierung
• Serielle Präsenzdetektion mit EEPROM.