PHS-memory 8GB RAM Speicher für Sony VAIO VPCSE1V9E/B DDR3 SO DIMM 1600MHz PC3L-12800S
Sony VAIO VPCSE1V9E/B, 1 x 8GBZwischen Mo, 13.4. und Mi, 15.4. geliefert
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Produktinformationen
Der 8GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Sony VAIO VPCSE1V9E/B Modell konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1600 MHz und dem DDR3 SO-DIMM Formfaktor ist dieser RAM eine ideale Wahl für Nutzer, die die Leistung ihres Laptops steigern möchten. Die Kompatibilität mit dem Sony VAIO VPCSE1V9E/B gewährleistet eine einfache Installation und optimale Funktionalität. Der Arbeitsspeicher ist mit 204 Pins ausgestattet und arbeitet bei einer Spannung von 1,5 Volt, was ihn energieeffizient macht. Diese Speicherkapazität von 8 GB ermöglicht es, mehrere Anwendungen gleichzeitig auszuführen und verbessert die Gesamtleistung des Systems erheblich.
- 100% kompatibel mit Sony VAIO VPCSE1V9E/B
- Speichertaktfrequenz von 1600 MHz
- Energieeffizient mit 1,5 Volt Spannung
- Formfaktor SO-DIMM für einfache Installation.
Passende Marke | Sony |
RAM für Modell | Sony VAIO VPCSE1V9E/B |
Speicherkonfiguration | 1 x 8GB |
Arbeitsspeichertyp | DDR3-RAM |
Speichertaktfrequenz | 1600 MHz |
RAM-Puffer | unbuffered |
Artikelnummer | 22396549 |
Hersteller | PHS-memory |
Kategorie | RAM Modellspezifisch |
Herstellernr. | SP127719 |
Release-Datum | 19.4.2021 |
LED Farbe | ohne LED |
Passende Marke | Sony |
RAM für Modell | Sony VAIO VPCSE1V9E/B |
Speicherkonfiguration | 1 x 8GB |
Hardware Anwendungsbereich | Notebook |
Arbeitsspeichertyp | DDR3-RAM |
Speichertaktfrequenz | 1600 MHz |
Speicherkapazität (RAM) pro Modul | 8 GB |
Arbeitsspeicher Chip | LPDDR3 |
Arbeitsspeicher Formfaktor | SO-DIMM |
Anzahl Pins | 204x |
RAM-Puffer | unbuffered |
Spannung | 1.50 V |
Ursprungsland | China |
CO₂-Emission | 81.33 kg |
Klimabeitrag | CHF 1.93 |
30 Tage Rückgaberecht
5 Jahre Garantie (Bring-In)
1 zusätzliches Angebot