PHS-memory 8GB RAM Speicher für Gigabyte GA-H110M-S2H DDR3 (rev. 1.0) DDR3 UDIMM 1600MHz
Gigabyte GA-H110M-S2H DDR3 (rev. 1.0), 1 x 8GBZwischen Mo, 22.12. und Mi, 24.12. geliefert
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Produktinformationen
Der 8GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Mainboard Gigabyte GA-H110M-S2H DDR3 (rev. 1.0) konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Lösung zur Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1600 MHz sorgt dieser DDR3 UDIMM-RAM für eine verbesserte Systemleistung und reibungsloses Multitasking. Die unbuffered Bauweise ermöglicht eine direkte Kommunikation zwischen dem RAM und der CPU, was die Effizienz erhöht. Die 240-Pin Konfiguration gewährleistet eine einfache Installation in kompatiblen Systemen. Dieser RAM ist ideal für Nutzer, die die Leistung ihres Systems steigern möchten, sei es für Gaming, kreative Anwendungen oder alltägliche Aufgaben.
- 100% kompatibel mit Gigabyte GA-H110M-S2H DDR3 (rev. 1.0)
- Speichertaktfrequenz von 1600 MHz für verbesserte Leistung
- Unbuffered Design für direkte Kommunikation mit der CPU
- Einfache Installation dank 240-Pin Konfiguration.
RAM-Puffer | unbuffered |
Arbeitsspeichertyp | DDR3-RAM |
Passendes Modell | Gigabyte GA-H110M-S2H DDR3 (rev. 1.0) |
Passende Marke | Gigabyte |
Speicherkonfiguration | 1 x 8GB |
Speichertaktfrequenz | 1600 MHz |
Artikelnummer | 22263118 |
Hersteller | PHS-memory |
Kategorie | RAM Modellspezifisch |
Herstellernr. | SP152330 |
Release-Datum | 19.4.2021 |
Passende Marke | Gigabyte |
Passendes Modell | Gigabyte GA-H110M-S2H DDR3 (rev. 1.0) |
Speicherkonfiguration | 1 x 8GB |
Arbeitsspeichertyp | DDR3-RAM |
Speichertaktfrequenz | 1600 MHz |
Speicherkapazität (RAM) pro Modul | 8 GB |
Arbeitsspeicher Chip | LPDDR3 |
Arbeitsspeicher Formfaktor | U-DIMM |
Anzahl Pins | 240 x |
RAM-Puffer | unbuffered |
Spannung | 1.35 V |
CO₂-Emission | |
Klimabeitrag |
30 Tage Rückgaberecht
5 Jahre Garantie (Bring-In)
1 zusätzliches Angebot