PHS-memory 4GB RAM Speicher für Sony VAIO VPCZ12C5E DDR3 SO DIMM 1066MHz
Sony VAIO VPCZ12C5E, 1 x 4GBZwischen Mi, 6.5. und Fr, 8.5. geliefert
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Produktinformationen
Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Sony VAIO VPCZ12C5E Modell konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Taktfrequenz von 1066 MHz und einem SO-DIMM Formfaktor ist dieser DDR3-RAM optimal für die Anforderungen moderner Anwendungen geeignet. Die Speicherkapazität von 4 GB ermöglicht eine verbesserte Multitasking-Fähigkeit und sorgt für eine flüssigere Benutzererfahrung. Der Arbeitsspeicher ist mit einer Spannung von 1,5 Volt ausgelegt und gewährleistet eine effiziente Energieverwendung. Die Kompatibilität mit dem Sony VAIO VPCZ12C5E stellt sicher, dass Nutzer eine einfache Installation und einen reibungslosen Betrieb erwarten können.
- 100% kompatibel mit Sony VAIO VPCZ12C5E
- DDR3-RAM mit SO-DIMM Formfaktor
- Taktfrequenz von 1066 MHz für verbesserte Leistung
- Energieeffizient mit 1,5 Volt Spannung.
Passende Marke | Sony |
RAM für Modell | Sony VAIO VPCZ12C5E |
Speicherkonfiguration | 1 x 4GB |
Arbeitsspeichertyp | DDR3-RAM |
Speichertaktfrequenz | 1066 MHz |
RAM-Puffer | unbuffered |
Artikelnummer | 22396825 |
Hersteller | PHS-memory |
Kategorie | RAM Modellspezifisch |
Herstellernr. | SP122548 |
Release-Datum | 19.4.2021 |
LED Beleuchtung | ohne LED |
Passende Marke | Sony |
RAM für Modell | Sony VAIO VPCZ12C5E |
Speicherkonfiguration | 1 x 4GB |
Hardware Anwendungsbereich | Notebook |
Arbeitsspeichertyp | DDR3-RAM |
Speichertaktfrequenz | 1066 MHz |
Speicherkapazität (RAM) pro Modul | 4 GB |
Arbeitsspeicher Chip | DDR3L-1066 |
Arbeitsspeicher Formfaktor | SO-DIMM |
Anzahl Pins | 204x |
RAM-Puffer | unbuffered |
Spannung | 1.50 V |
Ursprungsland | China |
CO₂-Emission | 81.33 kg |
Klimabeitrag | CHF 1.93 |
30 Tage Rückgaberecht
5 Jahre Garantie (Bring-In)
1 zusätzliches Angebot