PHS-memory 4GB RAM Speicher für Samsung R780 Houston DDR3 SO DIMM 1333MHz PC3-10600S

Samsung R780 (Houston), 1 x 4GB
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Produktinformationen

Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Samsung R780 (Houston) Modell konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1333 MHz und dem DDR3 SO-DIMM Formfaktor ist dieser RAM eine ideale Wahl für Nutzer, die die Leistung ihres Systems steigern möchten. Die Kompatibilität mit dem Samsung R780 gewährleistet eine einfache Installation und einen reibungslosen Betrieb. Der Arbeitsspeicher ist mit 204 Pins ausgestattet und arbeitet mit einer Spannung von 1,5 Volt, was ihn energieeffizient macht. Diese Speicherkapazität von 4 GB ermöglicht es, mehrere Anwendungen gleichzeitig auszuführen und verbessert die Gesamtleistung des Systems.

  • 100% kompatibel mit Samsung R780 (Houston)
  • Speichertaktfrequenz von 1333 MHz
  • Energieeffizient mit 1,5 Volt Spannung
  • LPDDR3 Chips für verbesserte Leistung.

Das Wichtigste auf einen Blick

Passende Marke
Samsung
Passendes Modell
Samsung R780 (Houston)
Speicherkonfiguration
1 x 4GB
Arbeitsspeichertyp
DDR3-RAM
Speichertaktfrequenz
1333 MHz
Artikelnummer
22391889

Allgemeine Informationen

Hersteller
PHS-memory
Kategorie
RAM Modellspezifisch
Herstellernr.
SP162406
Release-Datum
19.4.2021

Arbeitsspeicher

Passende Marke
Samsung
Passendes Modell
Samsung R780 (Houston)
Speicherkonfiguration
1 x 4GB
Arbeitsspeichertyp
DDR3-RAM
Speichertaktfrequenz
1333 MHz
Speicherkapazität (RAM) pro Modul
4 GB
Arbeitsspeicher Chip
DDR3L-1333
Arbeitsspeicher Formfaktor
SO-DIMM
Anzahl Pins
204 x

Energieversorgung

Spannung
1.50 V

Freiwilliger Klimabeitrag

CO₂-Emission
Klimabeitrag

30 Tage Rückgaberecht
5 Jahre Garantie (Bring-In)
1 zusätzliches Angebot

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