PHS-memory 4GB RAM Speicher für Samsung NP-R730-JB04 DDR3 SO DIMM 1066MHz
Samsung NP-R730-JB04, 1 x 4GBMehr als 10 Stück an Lager beim Drittanbieter
Produktinformationen
Der PHS-memory 4GB RAM Speicher ist speziell für das Samsung NP-R730-JB04 Modell konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1066 MHz und dem DDR3 SO-DIMM Formfaktor ist dieser RAM eine ideale Wahl für Nutzer, die die Leistung ihres Laptops steigern möchten. Die 4 GB Speicherkapazität ermöglicht eine verbesserte Multitasking-Fähigkeit und sorgt dafür, dass Anwendungen reibungslos laufen. Der Arbeitsspeicher ist mit einer Spannung von 1,5 Volt ausgelegt, was ihn energieeffizient macht und gleichzeitig die Systemstabilität gewährleistet. Die einfache Installation und die 100%ige Kompatibilität mit dem Samsung NP-R730-JB04 machen diesen RAM zu einer praktischen Lösung für alle, die die Leistung ihres Geräts optimieren möchten.
- 100% kompatibel mit Samsung NP-R730-JB04
- Energieeffizient mit 1,5 Volt Spannung
- Verbesserte Multitasking-Fähigkeit durch 4 GB Kapazität.
Passende Marke | Samsung |
Passendes Modell | Samsung NP-R730-JB04 |
Speicherkonfiguration | 1 x 4GB |
Arbeitsspeichertyp | DDR3-RAM |
Speichertaktfrequenz | 1066 MHz |
Artikelnummer | 14321257 |
Hersteller | PHS-memory |
Kategorie | RAM Modellspezifisch |
Herstellernr. | SP193863 |
Release-Datum | 15.11.2020 |
Passende Marke | Samsung |
Passendes Modell | Samsung NP-R730-JB04 |
Speicherkonfiguration | 1 x 4GB |
Arbeitsspeichertyp | DDR3-RAM |
Speichertaktfrequenz | 1066 MHz |
Speicherkapazität (RAM) pro Modul | 4 GB |
Arbeitsspeicher Chip | LPDDR3 |
Arbeitsspeicher Formfaktor | SO-DIMM |
Anzahl Pins | 204 x |
Spannung | 1.50 V |
CO₂-Emission | |
Klimabeitrag |