PHS-memory 4GB RAM Speicher für Packard Bell EASYNOTE LE11BZ ENLE11BZ-4504G50Mnks DDR3 SO DIMM
Packard Bell EasyNote LE11BZ-125GE, 1 x 4GBMehr als 10 Stück an Lager beim Drittanbieter
Produktinformationen
Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Packard Bell EasyNote LE11BZ-125GE konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 4 Gigabyte und einer Taktfrequenz von 1333 Megahertz (MHz) ermöglicht dieser DDR3 SO-DIMM Arbeitsspeicher eine verbesserte Multitasking-Fähigkeit und eine schnellere Datenverarbeitung. Die Kompatibilität mit dem Packard Bell EasyNote LE11BZ-125GE gewährleistet eine einfache Installation und optimale Leistung. Der Speicher ist ideal für Benutzer, die ihre Geräte aufrüsten möchten, um eine reibungslosere Nutzung von Anwendungen und Programmen zu gewährleisten. Mit einer Spannung von 1.5 Volt und einer Chip-Technologie von LPDDR3 ist dieser RAM eine effiziente Wahl für moderne Anforderungen.
- Kompatibel mit Packard Bell EasyNote LE11BZ-125GE
- Speicherkapazität von 4GB für verbesserte Leistung
- Taktfrequenz von 1333 MHz für schnelle Datenverarbeitung
- SO-DIMM Formfaktor für einfache Installation.
Passende Marke | Packard Bell |
Passendes Modell | Packard Bell EasyNote LE11BZ-125GE |
Speicherkonfiguration | 1 x 4GB |
Arbeitsspeichertyp | DDR3-RAM |
Speichertaktfrequenz | 1333 MHz |
Artikelnummer | 14321493 |
Hersteller | PHS-memory |
Kategorie | RAM Modellspezifisch |
Herstellernr. | SP274768 |
Release-Datum | 15.11.2020 |
Passende Marke | Packard Bell |
Passendes Modell | Packard Bell EasyNote LE11BZ-125GE |
Speicherkonfiguration | 1 x 4GB |
Arbeitsspeichertyp | DDR3-RAM |
Speichertaktfrequenz | 1333 MHz |
Speicherkapazität (RAM) pro Modul | 4 GB |
Arbeitsspeicher Chip | LPDDR3 |
Arbeitsspeicher Formfaktor | SO-DIMM |
Anzahl Pins | 204 x |
Spannung | 1.50 V |
CO₂-Emission | |
Klimabeitrag |