PHS-memory 4GB RAM Speicher für Packard Bell EASYNOTE LE11BZ ENLE11BZ-026GE DDR3 SO DIMM
Packard Bell EasyNote LE11BZ-026GE, 1 x 4GBMehr als 10 Stück an Lager beim Lieferanten
Produktinformationen
Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Modell Packard Bell EasyNote LE11BZ-026GE konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1333 MHz und dem DDR3 SO-DIMM Formfaktor ist dieser RAM optimal für die Anforderungen moderner Anwendungen geeignet. Die Kompatibilität mit dem spezifischen Modell gewährleistet eine einfache Installation und eine verbesserte Systemleistung. Der Speicher ist ideal für Nutzer, die die Effizienz ihres Laptops steigern möchten, sei es für alltägliche Aufgaben oder anspruchsvollere Anwendungen. Die Verwendung von LPDDR3 Chips sorgt für eine verbesserte Energieeffizienz und Stabilität, was zu einer längeren Lebensdauer des Geräts beiträgt.
- Speicherkapazität von 4GB für verbesserte Leistung
- Speichertaktfrequenz von 1333 MHz für schnelle Datenverarbeitung
- Kompatibel mit Packard Bell EasyNote LE11BZ-026GE
- Energieeffiziente LPDDR3 Chips für längere Lebensdauer.
Passende Marke | Packard Bell |
Passendes Modell | Packard Bell EasyNote LE11BZ-026GE |
Speicherkonfiguration | 1 x 4GB |
Arbeitsspeichertyp | DDR3-RAM |
Speichertaktfrequenz | 1333 MHz |
Artikelnummer | 14321487 |
Hersteller | PHS-memory |
Kategorie | RAM Modellspezifisch |
Herstellernr. | SP320161 |
Release-Datum | 15.11.2020 |
Passende Marke | Packard Bell |
Passendes Modell | Packard Bell EasyNote LE11BZ-026GE |
Speicherkonfiguration | 1 x 4GB |
Arbeitsspeichertyp | DDR3-RAM |
Speichertaktfrequenz | 1333 MHz |
Speicherkapazität (RAM) pro Modul | 4 GB |
Arbeitsspeicher Chip | LPDDR3 |
Arbeitsspeicher Formfaktor | SO-DIMM |
Anzahl Pins | 204 x |
Spannung | 1.50 V |
CO₂-Emission | |
Klimabeitrag |