PHS-memory 4GB RAM Speicher für Lenovo V50t 13IMB (11ED) DDR4 UDIMM 2666MHz PC4-2666V-U
Lenovo AIO V50t-13IMB (11ED), 1 x 4GBZwischen Sa, 4.10. und Di, 7.10. geliefert
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Produktinformationen
Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Lenovo V50t 13IMB (11ED) Modell konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 4GB und einer Taktfrequenz von 2666MHz sorgt dieser DDR4 UDIMM RAM für eine verbesserte Systemleistung und reibungsloses Multitasking. Der unbuffered Speicher ist einfach zu installieren und bietet eine hohe Kompatibilität mit dem Lenovo AIO V50t-13IMB (11ED). Die 288 Pins und die Betriebsspannung von 1.2 Volt gewährleisten eine effiziente Energieverwendung und Stabilität im Betrieb. Dieser RAM ist eine ideale Wahl für alle, die die Leistung ihres Systems steigern möchten.
- Kompatibel mit Lenovo AIO V50t-13IMB (11ED)
- DDR4-RAM mit 2666MHz Taktfrequenz
- Unbuffered U-DIMM Formfaktor
- Energieeffizient mit 1.2 Volt Betriebsspannung.
Passende Marke | Lenovo |
Passendes Modell | Lenovo AIO V50t-13IMB (11ED) |
Speicherkonfiguration | 1 x 4GB |
Arbeitsspeichertyp | DDR4-RAM |
Speichertaktfrequenz | 2666 MHz |
RAM-Puffer | unbuffered |
Artikelnummer | 22371511 |
Hersteller | PHS-memory |
Kategorie | RAM Modellspezifisch |
Herstellernr. | SP360547 |
Release-Datum | 19.4.2021 |
Passende Marke | Lenovo |
Passendes Modell | Lenovo AIO V50t-13IMB (11ED) |
Speicherkonfiguration | 1 x 4GB |
Arbeitsspeichertyp | DDR4-RAM |
Speichertaktfrequenz | 2666 MHz |
Speicherkapazität (RAM) pro Modul | 4 GB |
Arbeitsspeicher Chip | DDR4 |
Arbeitsspeicher Formfaktor | U-DIMM |
Anzahl Pins | 288 x |
RAM-Puffer | unbuffered |
Spannung | 1.20 V |
Ursprungsland | China |
CO₂-Emission | |
Klimabeitrag |
30 Tage Rückgaberecht
5 Jahre Garantie (Bring-In)
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