PHS-memory 4GB RAM Speicher für Lenovo ThinkPad 11e (3rd Gen) (20GB) (Celeron N3150/N3160) DDR3 SO DIMM 1600MHz

Lenovo ThinkPad 11e (3rd Gen) (20GB) (Celeron N3150/N3160), 1 x 4GB
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Produktinformationen

Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Lenovo ThinkPad 11e (3rd Gen) (20GB) mit den Prozessoren Celeron N3150 und N3160 konzipiert. Dieser DDR3 SO-DIMM Arbeitsspeicher bietet eine Taktfrequenz von 1600 MHz und ist eine ideale Lösung zur Leistungssteigerung Ihres Geräts. Mit einer Speicherkapazität von 4 GB pro Modul ermöglicht dieser RAM eine verbesserte Multitasking-Fähigkeit und sorgt für eine reibungslose Ausführung von Anwendungen. Die Kompatibilität mit dem Lenovo ThinkPad 11e (3rd Gen) gewährleistet eine einfache Installation und einen stabilen Betrieb. Der Speicher ist mit 204 Pins ausgestattet und arbeitet bei einer Spannung von 1,35 Volt, was ihn zu einer energieeffizienten Wahl für Ihr System macht.

  • 100% kompatibel mit Lenovo ThinkPad 11e (3rd Gen)
  • DDR3-RAM mit einer Taktfrequenz von 1600 MHz
  • Energieeffizienter Betrieb bei 1,35 Volt
  • Ermöglicht verbesserte Multitasking-Fähigkeiten.

Das Wichtigste auf einen Blick

Passende Marke
Lenovo
Passendes Modell
Lenovo ThinkPad 11e (3rd Gen) (20GB) (Celeron N3150/N3160)
Speicherkonfiguration
1 x 4GB
Arbeitsspeichertyp
DDR3-RAM
Speichertaktfrequenz
1600 MHz
Artikelnummer
14226327

Allgemeine Informationen

Hersteller
PHS-memory
Kategorie
RAM Modellspezifisch
Herstellernr.
SP272071
Release-Datum
13.11.2020

Arbeitsspeicher

Passende Marke
Lenovo
Passendes Modell
Lenovo ThinkPad 11e (3rd Gen) (20GB) (Celeron N3150/N3160)
Speicherkonfiguration
1 x 4GB
Arbeitsspeichertyp
DDR3-RAM
Speichertaktfrequenz
1600 MHz
Speicherkapazität (RAM) pro Modul
4 GB
Arbeitsspeicher Chip
LPDDR3
Arbeitsspeicher Formfaktor
SO-DIMM
Anzahl Pins
204 x

Energieversorgung

Spannung
1.35 V

Freiwilliger Klimabeitrag

CO₂-Emission
Klimabeitrag

30 Tage Rückgaberecht
5 Jahre Garantie (Bring-In)
1 zusätzliches Angebot

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