PHS-memory 4GB RAM Speicher für Lenovo ThinkPad 11e (3rd Gen) (20GB) (Celeron N3150/N3160) DDR3 SO DIMM 1600MHz
Lenovo ThinkPad 11e (3rd Gen) (20GB) (Celeron N3150/N3160), 1 x 4GBZwischen Do, 4.9. und Sa, 6.9. geliefert
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Produktinformationen
Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Lenovo ThinkPad 11e (3rd Gen) (20GB) mit den Prozessoren Celeron N3150 und N3160 konzipiert. Dieser DDR3 SO-DIMM Arbeitsspeicher bietet eine Taktfrequenz von 1600 MHz und ist eine ideale Lösung zur Leistungssteigerung Ihres Geräts. Mit einer Speicherkapazität von 4 GB pro Modul ermöglicht dieser RAM eine verbesserte Multitasking-Fähigkeit und sorgt für eine reibungslose Ausführung von Anwendungen. Die Kompatibilität mit dem Lenovo ThinkPad 11e (3rd Gen) gewährleistet eine einfache Installation und einen stabilen Betrieb. Der Speicher ist mit 204 Pins ausgestattet und arbeitet bei einer Spannung von 1,35 Volt, was ihn zu einer energieeffizienten Wahl für Ihr System macht.
- 100% kompatibel mit Lenovo ThinkPad 11e (3rd Gen)
- DDR3-RAM mit einer Taktfrequenz von 1600 MHz
- Energieeffizienter Betrieb bei 1,35 Volt
- Ermöglicht verbesserte Multitasking-Fähigkeiten.
Passende Marke | Lenovo |
Passendes Modell | Lenovo ThinkPad 11e (3rd Gen) (20GB) (Celeron N3150/N3160) |
Speicherkonfiguration | 1 x 4GB |
Arbeitsspeichertyp | DDR3-RAM |
Speichertaktfrequenz | 1600 MHz |
Artikelnummer | 14226327 |
Hersteller | PHS-memory |
Kategorie | RAM Modellspezifisch |
Herstellernr. | SP272071 |
Release-Datum | 13.11.2020 |
Passende Marke | Lenovo |
Passendes Modell | Lenovo ThinkPad 11e (3rd Gen) (20GB) (Celeron N3150/N3160) |
Speicherkonfiguration | 1 x 4GB |
Arbeitsspeichertyp | DDR3-RAM |
Speichertaktfrequenz | 1600 MHz |
Speicherkapazität (RAM) pro Modul | 4 GB |
Arbeitsspeicher Chip | LPDDR3 |
Arbeitsspeicher Formfaktor | SO-DIMM |
Anzahl Pins | 204 x |
Spannung | 1.35 V |
CO₂-Emission | |
Klimabeitrag |
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