PHS-memory 4GB RAM Speicher für FOXCONN H61MXT1/F2/-S/-V DDR3 SO DIMM 1333MHz
F2, 1 x 4GBMehr als 10 Stück an Lager beim Lieferanten
Produktinformationen
Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für die FOXCONN H61MXT1/F2/-S/-V Modelle konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1333 MHz und dem DDR3 SO-DIMM Formfaktor ist dieser RAM optimal für die Anforderungen moderner Anwendungen geeignet. Die Kompatibilität mit den genannten Foxconn-Modellen gewährleistet eine einfache Installation und einen reibungslosen Betrieb. Der Speicher ist ideal für Nutzer, die die Leistung ihres Systems steigern möchten, sei es für alltägliche Aufgaben oder anspruchsvollere Anwendungen. Die Verwendung von LPDDR3 Chips sorgt für eine effiziente Energieverwaltung und trägt zur Stabilität des Systems bei. Dieser RAM ist eine ausgezeichnete Wahl für alle, die Wert auf Qualität und Zuverlässigkeit legen.
- Kompatibel mit FOXCONN H61MXT1/F2/-S/-V Modellen
- Speichertaktfrequenz von 1333 MHz
- DDR3 SO-DIMM Formfaktor für einfache Installation
- Energieeffiziente LPDDR3 Chips für stabile Leistung.
Passende Marke | Foxconn |
Passendes Modell | F2 |
Speicherkonfiguration | 1 x 4GB |
Arbeitsspeichertyp | DDR3-RAM |
Speichertaktfrequenz | 1333 MHz |
Artikelnummer | 14272689 |
Hersteller | PHS-memory |
Kategorie | RAM Modellspezifisch |
Herstellernr. | SP327906 |
Release-Datum | 14.11.2020 |
Passende Marke | Foxconn |
Passendes Modell | F2 |
Speicherkonfiguration | 1 x 4GB |
Arbeitsspeichertyp | DDR3-RAM |
Speichertaktfrequenz | 1333 MHz |
Speicherkapazität (RAM) pro Modul | 4 GB |
Arbeitsspeicher Chip | LPDDR3 |
Arbeitsspeicher Formfaktor | SO-DIMM |
Anzahl Pins | 204 x |
Spannung | 1.50 V |
CO₂-Emission | |
Klimabeitrag |