PHS-memory 2GB RAM Speicher für Sony VAIO VGN-FZ11S DDR2 SO DIMM 667MHz PC2-5300S
Sony VAIO VGN-FZ11S, 1 x 2GBZwischen Mo, 13.4. und Mi, 15.4. geliefert
6 Stück an Lager beim Lieferanten
6 Stück an Lager beim Lieferanten
Kostenloser Versand ab 50.–
Produktinformationen
Der 2GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Sony VAIO VGN-FZ11S Modell konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 2 Gigabyte und einer Taktfrequenz von 667 MHz (PC2-5300S) sorgt dieser DDR2 SO-DIMM-RAM für eine verbesserte Systemleistung und reibungsloses Multitasking. Die 200-Pin-Konfiguration und die Betriebsspannung von 1,8 Volt gewährleisten eine einfache Integration in das bestehende System. Dieser Arbeitsspeicher ist eine ideale Wahl für Nutzer, die die Leistung ihres Sony VAIO Laptops optimieren möchten.
- 100% kompatibel mit Sony VAIO VGN-FZ11S
- DDR2-RAM mit 667 MHz Taktfrequenz
- SO-DIMM Formfaktor für einfache Installation
- 200-Pin Konfiguration mit 1,8 Volt Spannung.
Passende Marke | Sony |
RAM für Modell | Sony VAIO VGN-FZ11S |
Speicherkonfiguration | 1 x 2GB |
Arbeitsspeichertyp | DDR2-RAM |
Speichertaktfrequenz | 667 MHz |
RAM-Puffer | unbuffered |
Artikelnummer | 22395554 |
Hersteller | PHS-memory |
Kategorie | RAM Modellspezifisch |
Herstellernr. | SP119044 |
Release-Datum | 19.4.2021 |
LED Farbe | ohne LED |
Passende Marke | Sony |
RAM für Modell | Sony VAIO VGN-FZ11S |
Speicherkonfiguration | 1 x 2GB |
Hardware Anwendungsbereich | Notebook |
Arbeitsspeichertyp | DDR2-RAM |
Speichertaktfrequenz | 667 MHz |
Anzahl Speichermodule (RAM) | 1x |
Speicherkapazität (RAM) pro Modul | 2 GB |
Arbeitsspeicher Formfaktor | SO-DIMM |
Anzahl Pins | 200x |
RAM-Puffer | unbuffered |
Spannung | 1.80 V |
Ursprungsland | China |
CO₂-Emission | 81.33 kg |
Klimabeitrag | CHF 1.93 |
30 Tage Rückgaberecht
5 Jahre Garantie (Bring-In)
1 zusätzliches Angebot