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HyperX Impact (1x, 16GB, DDR4-2400, SO-DIMM 260 pin)

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HyperX Impact (1x, 16GB, DDR4-2400, SO-DIMM 260 pin) Produktbild
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HyperX Impact (1x, 16GB, DDR4-2400, SO-DIMM 260 pin)

Speichergrösse

4 GB
Impact (1x, 4GB, DDR4-2400, SO-DIMM 260 pin)
CHF 62.–
HyperX Impact (1x, 4GB, DDR4-2400, SO-DIMM 260 pin)
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Beschreibung

Das Kingston HX424S14IB/16 ist ein 16-GB-DDR4-2400-Speichermodul (PC4-19200) der HyperX-Impact-Serie von Kingston. Das Modul ist auf Latenzen von 14-14-14 bei 2400 MHz getestet. Das 260-pin unbuffered SO-DIMM benötigt eine Spannung von 1,2 Volt.

Spezifikationen

Die wichtigsten Spezifikationen auf einen Blick

Arbeitsspeicher ChipDDR4-2400
Anzahl Speichermodule1 x
ArbeitsspeichertypDDR4-RAM
Speicherkapazität (RAM) pro Modul16 GB
Arbeitsspeicher FormfaktorSO-DIMM 260 pin

Allgemeine Informationen

Hersteller HyperX
Produkttyp Arbeitsspeicher
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Arbeitsspeicher

Der Arbeitsspeicher – oft auch als RAM bezeichnet – enthält die gerade auf dem PC ausgeführten Programme, Programmteile und dafür benötigten Daten. Sogenannte Speichermodule stellen oder erweitern den Arbeitsspeicher von Computern und weiteren technischen Geräten. Da der Arbeitsspeicher eine Komponente der CPU verkörpert und deren Prozessor direkt auf das RAM zugreift, spielt die Leistungsfähigkeit und Speicherkapazität des Arbeitsspeichers eine entscheidende Rolle im reibungslosen Zusammenspiel mit den restlichen Komponenten. Wichtige Charakteristika beim Arbeitsspeicher sind die Zugriffsgeschwindigkeit (Latenz), die damit verbundene Datenübertragungsrate (DDR) und die Grösse (Anzahl GB Speicherkapazität).

In unserem Shop findest Du eine grosse Auswahl an Arbeitsspeicher-Modulen bekannter Hersteller wie HyperX, Kingston, Crucial, Corsair, G.Skill oder GeIL in verschiedenen Grössen und Varianten.

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Artikelnummer6180621
Herstellernr.HX424S14IB/16
Verkaufsrang in Produkttyp Arbeitsspeicher66 von 1000
Externe Links Herstellerseite (de)

Farbe

Farbe Gehäuse
Schwarz
LED Farbe
ohne LED

Arbeitsspeicher

i

Arbeitsspeicher

Der Arbeitsspeicher oder „Hauptspeicher ist die Bezeichnung für den Speicher, der die gerade auszuführenden Programme oder Programmteile und die dabei benötigten Daten enthält. Der Hauptspeicher ist eine Komponente der Zentraleinheit. Da der Prozessor unmittelbar auf den Hauptspeicher zugreift, beeinflussen dessen Leistungsfähigkeit und Größe in wesentlichem Maße die Leistungsfähigkeit der gesamten Rechenanlage.

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Hardware Anwendungsbereich
Notebook
i

Notebook

Ein Notebook – auch Laptop oder Klapprechner – ist ein kleiner, tragbarer Personal Computer.

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Anzahl Speichermodule
i

Anzahl Speichermodule

Ein Speichermodul oder Speicherriegel ist eine kleine Leiterplatte, auf der mehrere Speicherbausteine (Dynamisches RAM in Form von integrierten Schaltkreisen) aufgelötet sind. Speichermodule bilden oder erweitern den Arbeitsspeicher elektronischer Geräte wie Computer oder Drucker und werden dort in speziell dafür vorgesehene Steckplätze gesteckt.

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1 x
Arbeitsspeichertyp
i

Arbeitsspeichertyp

DDR-SDRAM („Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory“) ist ein Typ von Random Access Memory (RAM), den es aktuell in drei Kategorien gibt. DDR-SDRAM mit 184 Kontakten, DDR2-SDRAM mit 240 Kontakten und DDR3-SDRAM ebenfalls mit 240 Kontakten. Verwendet werden sie hauptsächlich für Speichermodule des DIMM- bzw. SO-DIMM-Standards als Arbeitsspeicher in PCs und Laptops.

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DDR4-RAM
Speicherkapazität (RAM) pro Modul
16 GB
Arbeitsspeicher Chip
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Arbeitsspeicher Chip

Random-Access-Memory, abgekürzt RAM, ist ein Informations-Speicher, der besonders bei Computern als Arbeitsspeicher Verwendung findet, meist in Form von Speichermodulen. Die gängigsten Formen gehören zu den Halbleiterspeichern. RAM wird als integrierter Schaltkreis hauptsächlich in Silizium-Technologie realisiert und in allen Arten von elektronischen Geräten eingesetzt.

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DDR4-2400
Arbeitsspeicher Formfaktor
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Arbeitsspeicher Formfaktor

Als Dual Inline Memory Module (DIMM) (engl. etwa doppelreihiger Speicherbaustein) werden Speichermodule für den Arbeitsspeicher von Computern bezeichnet. Im Gegensatz zu Single Inline Memory Modulen (SIMM) führen DIMMs auf den Anschlusskontakten auf der Vorderseite und auf der Rückseite der Leiterplatte unterschiedliche Signale.

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SO-DIMM 260 pin
RAM-Puffer
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RAM-Puffer

In addition to bandwidth and capacity variants, modules can
1. Optionally implement ECC, which is an extra data byte lane used for correcting minor errors and detecting major errors for better reliability. Modules with ECC are identified by an additional ECC in their designation.
2. Be "registered", which improves signal integrity (and hence potentially clock speed and physical slot capacity) by electrically buffering the signals at a cost of an extra clock of increased latency. Those modules are identified by an additional R in their designation, whereas non-registered (a.k.a. "unbuffered") RAM may be identified by an additional U in the designation.
3. Be Fully buffered modules, which are designated by F or FB and do not have the same notch position as other classes. Fully buffered modules cannot be used with motherboards that are made for registered modules, and the different notch position physically prevents their insertion.

unbuffered
CAS latency
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CAS latency

CAS latency is the delay time which elapses between the moment a memory controller tells the memory module to access a particular column in a selected row, and the moment the data from the given array location is available on the module's output pins.

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14
tRCD
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tRCD

Der Parameter tRCD (RAS-to-CAS delay, row-to-column delay) beschreibt bei einem DRAM die Zeit, die nach der Aktivierung einer Wortleitung (activate) verstrichen sein muss, bevor ein Lesekommando (read) gesendet werden darf.

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14
tRAS
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tRAS

Der Parameter tRAS (RAS pulse width, Active Command Period, Bank Active Time) beschreibt die Zeit, die nach der Aktivierung einer Zeile (bzw. einer Zeile in einer Bank) verstrichen sein muss, bevor ein Kommando zum Deaktivieren der Zeile (Precharge, Schließen der Bank) gesendet werden darf.

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29.13
tRP
i

tRP

Der Parameter „tRP“ („Row Precharge Time“) beschreibt die Zeit, die nach einem Precharge-Kommando mindestens verstrichen sein muss, bevor ein erneutes Kommando zur Aktivierung einer Zeile in der gleichen Bank gesendet werden darf.

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14
XMP
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XMP

Extreme Memory Profiles (XMP) sind von Intel eingeführte Zertifizierungen für DDR3-Speichermodule aus dem PC-Bereich.

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Ja

Energieversorgung

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Energieversorgung

Details zur Energieversorgung.

Spannung
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Spannung

Die elektrische Spannung ist eine physikalische Größe, die angibt, wie viel Arbeit oder Energie nötig ist, um ein Objekt mit einer bestimmten elektrischen Ladung innerhalb eines elektrischen Feldes zu bewegen. Spannung ist also das spezifische Arbeitsvermögen der Ladung. Sie ist eine Feldgröße, die in einem großen Größenordnungsbereich auftritt.

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1.20 V

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Produktdimensionen

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Die 3 nützlichsten Bewertungen

User daccurda
Impact (1x, 16GB, DDR4-2400, SO-DIMM 260 pin)

Perfekt

Endlich kann ich 2 Chrome Tabs gleichzeitig öffnen

28.09.2017
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User swcho11
Impact (1x, 16GB, DDR4-2400, SO-DIMM 260 pin)

Achtung bei HP ProBook ** G5

Ich hätte den Kommentar zu HP ProBook 470 G5 ernst nehmen sollen: Auch im neuen HP ProBook 430 G5 werden diese 16GB module nicht erkannt. Wizigerweise sehr wohl, wenn man die original 1x8GB + 1x16GB HyperX benutzt, aber dann nicht im DualChannel modus. 1x16GB oder 2x16GB HyperX funktionieren im 430 G5 nicht, Fehlermeldung "Beep Code 3 long, 2 short" = incompatible RAM. - Kingston ValueRAM 2x16GB ist problemlos und günstiger :-)mehr

11.04.2018
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HyperX Impact (1x, 16GB, DDR4-2400, SO-DIMM 260 pin) HyperX Impact (1x, 16GB, DDR4-2400, SO-DIMM 260 pin)