PHS-memory 4GB di memoria RAM per Samsung NP-RV515-A06 DDR3 SO DIMM
Samsung NP-RV515-A06, 1 x 4GBPiù di 10 pezzi in stock presso il fornitore
Informazioni sul prodotto
La memoria RAM da 4GB di PHS-memory è progettata specificamente per il modello Samsung NP-RV515-A06 e offre un'espansione affidabile e potente della memoria di lavoro. Con una capacità di 4GB e una frequenza di clock di 1333 MHz, questa memoria DDR3 SO-DIMM consente una migliore capacità di multitasking e un'elaborazione dei dati più veloce. La compatibilità con il Samsung NP-RV515-A06 garantisce un'installazione semplice e un'integrazione senza soluzione di continuità nel sistema esistente. Questa memoria RAM è ideale per gli utenti che desiderano migliorare le prestazioni del proprio laptop, sia per applicazioni quotidiane che per compiti più impegnativi. L'uso di chip LPDDR3 assicura una gestione energetica efficiente e contribuisce alla longevità del dispositivo.
- 100% compatibile con Samsung NP-RV515-A06
- Capacità di memoria di 4GB per prestazioni migliorate
- Frequenza di clock di 1333 MHz per un'elaborazione dati rapida
- Chip LPDDR3 a risparmio energetico per una maggiore durata.
Marca compatibile | Samsung |
Modello compatibile | Samsung NP-RV515-A06 |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1333 MHz |
No. di articolo | 14321710 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP228139 |
Data di rilascio | 15.11.2020 |
Marca compatibile | Samsung |
Modello compatibile | Samsung NP-RV515-A06 |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1333 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 4 GB |
Chip RAM | LPDDR3 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204 x |
Tensione elettrica | 1.50 V |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |