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CHF 162.–

Kingston ValueRAM (1x, 16GB, DDR4-2400, SO-DIMM 260 pin)

Art-Nr 6068169
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Specifiche

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Chip di memoriaDDR4-2400
No. moduli di memoria1 x
Tipo di memoriaDDR4-RAM
Capacità memoria (RAM) per modulo16 GB
Fattore forma memoriaSO-DIMM 260 pin

Informazioni generali

Produttore Kingston
Tipo di prodotto Memorie
No. di articolo6068169
No. di fabbricazioneKVR24S17D8/16
Classifica di vendita secondo Tipo di prodotto Memorie35 di 1039
Collegamenti esterni Sito del produttore (de)

Colore

Colore cassa
Nero
Colore LED
ohne LED

Proprietà memoria principale

i

Proprietà memoria principale

Der Arbeitsspeicher oder „Hauptspeicher ist die Bezeichnung für den Speicher, der die gerade auszuführenden Programme oder Programmteile und die dabei benötigten Daten enthält. Der Hauptspeicher ist eine Komponente der Zentraleinheit. Da der Prozessor unmittelbar auf den Hauptspeicher zugreift, beeinflussen dessen Leistungsfähigkeit und Größe in wesentlichem Maße die Leistungsfähigkeit der gesamten Rechenanlage.

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Settori di utilizzo
Notebook
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Notebook

Ein Notebook – auch Laptop oder Klapprechner – ist ein kleiner, tragbarer Personal Computer.

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No. moduli di memoria
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No. moduli di memoria

Ein Speichermodul oder Speicherriegel ist eine kleine Leiterplatte, auf der mehrere Speicherbausteine (Dynamisches RAM in Form von integrierten Schaltkreisen) aufgelötet sind. Speichermodule bilden oder erweitern den Arbeitsspeicher elektronischer Geräte wie Computer oder Drucker und werden dort in speziell dafür vorgesehene Steckplätze gesteckt.

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1 x
Tipo di memoria
i

Tipo di memoria

DDR-SDRAM („Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory“) ist ein Typ von Random Access Memory (RAM), den es aktuell in drei Kategorien gibt. DDR-SDRAM mit 184 Kontakten, DDR2-SDRAM mit 240 Kontakten und DDR3-SDRAM ebenfalls mit 240 Kontakten. Verwendet werden sie hauptsächlich für Speichermodule des DIMM- bzw. SO-DIMM-Standards als Arbeitsspeicher in PCs und Laptops.

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DDR4-RAM
Capacità memoria (RAM) per modulo
16 GB
Chip di memoria
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Chip di memoria

Random-Access-Memory, abgekürzt RAM, ist ein Informations-Speicher, der besonders bei Computern als Arbeitsspeicher Verwendung findet, meist in Form von Speichermodulen. Die gängigsten Formen gehören zu den Halbleiterspeichern. RAM wird als integrierter Schaltkreis hauptsächlich in Silizium-Technologie realisiert und in allen Arten von elektronischen Geräten eingesetzt.

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DDR4-2400
Fattore forma memoria
i

Fattore forma memoria

Als Dual Inline Memory Module (DIMM) (engl. etwa doppelreihiger Speicherbaustein) werden Speichermodule für den Arbeitsspeicher von Computern bezeichnet. Im Gegensatz zu Single Inline Memory Modulen (SIMM) führen DIMMs auf den Anschlusskontakten auf der Vorderseite und auf der Rückseite der Leiterplatte unterschiedliche Signale.

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SO-DIMM 260 pin
Memoria tampone RAM
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Memoria tampone RAM

In addition to bandwidth and capacity variants, modules can
1. Optionally implement ECC, which is an extra data byte lane used for correcting minor errors and detecting major errors for better reliability. Modules with ECC are identified by an additional ECC in their designation.
2. Be "registered", which improves signal integrity (and hence potentially clock speed and physical slot capacity) by electrically buffering the signals at a cost of an extra clock of increased latency. Those modules are identified by an additional R in their designation, whereas non-registered (a.k.a. "unbuffered") RAM may be identified by an additional U in the designation.
3. Be Fully buffered modules, which are designated by F or FB and do not have the same notch position as other classes. Fully buffered modules cannot be used with motherboards that are made for registered modules, and the different notch position physically prevents their insertion.

unbuffered
CAS latency
i

CAS latency

CAS latency is the delay time which elapses between the moment a memory controller tells the memory module to access a particular column in a selected row, and the moment the data from the given array location is available on the module's output pins.

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tRCD
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tRCD

Der Parameter tRCD (RAS-to-CAS delay, row-to-column delay) beschreibt bei einem DRAM die Zeit, die nach der Aktivierung einer Wortleitung (activate) verstrichen sein muss, bevor ein Lesekommando (read) gesendet werden darf.

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tRP
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tRP

Der Parameter „tRP“ („Row Precharge Time“) beschreibt die Zeit, die nach einem Precharge-Kommando mindestens verstrichen sein muss, bevor ein erneutes Kommando zur Aktivierung einer Zeile in der gleichen Bank gesendet werden darf.

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Alimentazione

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Alimentazione

Tutti i dettagli sull'alimentazione.

Tensione elettrica
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Tensione elettrica

Quindi mentre la corrente elettrica misura il flusso della carica, la tensione misura l'energia richiesta per far fluire questa carica.

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1.2 V

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i

Dimensioni prodotto

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Domande e risposte di clienti

Le domande più utili 2

User findthebug

Passen diese RAMS in die neuen iMac 27" von mitte 2017?

19.06.2017
1 risposta
User TomSchmidt
Risposta accettata

Ja, passt. Habe diese letzten Freitag im neuen iMac verbaut. Auch eine Kombination mit den bestehenden RAM von Apple ist möglich bei voller Geschwindigkeit (2400 mhz). Speicher für volle Leistung immer im 2er Pack aufrüsten, also zB 2x4 von Apple schon drin plus 2x16 von kingston. Gibt dann 40 GB. Das entspricht meiner Konfiguration. Gruss, Tom

19.06.2017

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