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Kingston SO-DDR4 4GB 2400MHz Non-ECC (1x, 4GB, DDR4-2400, SO-DIMM 260 pin)

Art-Nr 7020198
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Kingston SO-DDR4 4GB 2400MHz Non-ECC (1x, 4GB, DDR4-2400, SO-DIMM 260 pin) Immagine prodotto
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Kingston SO-DDR4 4GB 2400MHz Non-ECC (1x, 4GB, DDR4-2400, SO-DIMM 260 pin)

Specifiche

Le specifiche più importanti a colpo d'occhio

Chip di memoriaDDR4-2400
No. moduli di memoria1 x
Tipo di memoriaDDR4-RAM
Capacità memoria (RAM) per modulo4 GB
Fattore forma memoriaSO-DIMM 260 pin

Informazioni generali

Produttore Kingston
Tipo di prodotto Memorie
No. di articolo7020198
No. di fabbricazioneKVR24S17S6/4
Classifica di vendita secondo Tipo di prodotto Memorie54 di 1001
Collegamenti esterni Sito del produttore (de)

Colore

Colore scocca
Verde
Colore LED
senza LED

Proprietà memoria principale

i

Proprietà memoria principale

La memoria di lavoro o "memoria principale" è il nome della memoria che contiene i programmi o le parti di programma da eseguire e i dati necessari a tale scopo. La memoria principale è un componente dell'unità centrale. Poiché il processore accede direttamente alla memoria principale, le sue prestazioni e le sue dimensioni hanno un'influenza significativa sulle prestazioni dell'intero sistema informatico.

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Settori di utilizzo
Notebook
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Notebook

Un notebook - anche un computer portatile o portatile - è un piccolo personal computer portatile.

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No. moduli di memoria
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No. moduli di memoria

Un modulo di memoria o un blocco di memoria è una piccola scheda su cui sono saldati diversi componenti di memoria (RAM dinamica sotto forma di circuiti integrati). I moduli di memoria formano o ampliano la memoria principale di dispositivi elettronici come computer o stampanti e sono collegati a slot appositamente progettati.

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1 x
Tipo di memoria
i

Tipo di memoria

DDR-SDRAM ("Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory") è un tipo di memoria ad accesso casuale (RAM) attualmente disponibile in tre categorie. DDR-SDRAM con 184 contatti, DDR2-SDRAM con 240 contatti e DDR3-SDRAM anche con 240 contatti. Sono utilizzati principalmente per i moduli di memoria dello standard DIMM o SO-DIMM come memoria principale in PC e laptop.

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DDR4-RAM
Capacità memoria (RAM) per modulo
4 GB
Chip di memoria
i

Chip di memoria

La memoria ad accesso casuale, abbreviata RAM, è una memoria di informazioni che viene utilizzata come memoria principale specialmente sui computer, solitamente sotto forma di moduli di memoria. Le forme più comuni sono le memorie a semiconduttore. La RAM è realizzata come circuito integrato principalmente in tecnologia siliconica ed è utilizzata in tutti i tipi di dispositivi elettronici.

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DDR4-2400
Fattore forma memoria
i

Fattore forma memoria

I Dual Inline Memory Module (DIMM) sono moduli di memoria per la memoria principale dei computer. A differenza dei moduli SIMM (Single Inline Memory Module), le DIMM trasmettono segnali diversi sui contatti di connessione sul lato anteriore e posteriore della scheda.

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SO-DIMM 260 pin
Memoria tampone RAM
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Memoria tampone RAM

In addition to bandwidth and capacity variants, modules can
1. Optionally implement ECC, which is an extra data byte lane used for correcting minor errors and detecting major errors for better reliability. Modules with ECC are identified by an additional ECC in their designation.
2. Be "registered", which improves signal integrity (and hence potentially clock speed and physical slot capacity) by electrically buffering the signals at a cost of an extra clock of increased latency. Those modules are identified by an additional R in their designation, whereas non-registered (a.k.a. "unbuffered") RAM may be identified by an additional U in the designation.
3. Be Fully buffered modules, which are designated by F or FB and do not have the same notch position as other classes. Fully buffered modules cannot be used with motherboards that are made for registered modules, and the different notch position physically prevents their insertion.

unbuffered
CAS latency
i

CAS latency

CAS latency is the delay time which elapses between the moment a memory controller tells the memory module to access a particular column in a selected row, and the moment the data from the given array location is available on the module's output pins.

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17
tRCD
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tRCD

Il parametro tRCD (RAS-to-CAS delay, row-to-column delay) descrive per una DRAM il tempo che deve trascorrere dopo l'attivazione di una riga di testo (attivazione) prima che un comando di lettura possa essere inviato.

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17
TRASPARTI
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TRASPARTI

Il parametro tRAS (RAS Pulse Width, Active Command Period, Bank Active Time) descrive il tempo che deve trascorrere dopo l'attivazione di una linea (o di una linea di un banco) per l'invio di un comando di disattivazione della linea (precarica, chiusura del banco).

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32
tRP
i

tRP

Il parametro "tRP" ("Row Precharge Time") descrive il tempo minimo che deve trascorrere dopo un comando di precarica prima che un nuovo comando possa essere inviato per attivare una linea nello stesso banco.

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17

Alimentazione

i

Alimentazione

Tutti i dettagli sull'alimentazione.

Tensione elettrica
i

Tensione elettrica

Quindi mentre la corrente elettrica misura il flusso della carica, la tensione misura l'energia richiesta per far fluire questa carica.

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1.20 V

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Dimensioni prodotto

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